[發(fā)明專利]一種四管電壓基準(zhǔn)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910775986.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-22
• 公開（公告）號(hào): CN110568894A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東俊;鄧樂武;張雷;魏平;張凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都飛機(jī)工業(yè)(集團(tuán))有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 51121 成飛(集團(tuán))公司專利中心
• 代理人: 梁義東

1.一種四管電壓基準(zhǔn)電路，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，其特征在于：

所述第一NMOS管(MN1)與第二NMOS管(MN2)的漏極連接后接有電源電壓VDD；

所述第一NMOS管(MN1)的柵極和源極短接，所述第一PMOS管(MP1)的源極和襯底短接，所述第二PMOS管(MP2)的柵極和漏極短接，且三者短接后連接并作為基準(zhǔn)電路的輸出電壓VCTAT；

所述第一PMOS管(MP1)的柵漏短接并連接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的襯底，且三者連接后接地；

所述第二NMOS管(MN2)的柵源短接，所述第二PMOS管(MP2)的源極和襯底短接，且兩者短接后連接并作為基準(zhǔn)電路的輸出基準(zhǔn)電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的一種四管電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于：所述第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)均為閾值電壓≤0.5V的NMOS管。

3.如權(quán)利要求1所述的一種四管電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于：所述第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)均為閾值電壓≥0.7V的NMOS管。。

4.如權(quán)利要求1所述的一種四管電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于：所述第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)均工作在壓閾值區(qū)。

5.如權(quán)利要求1所述的一種四管電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于：所述輸出電壓VCTAT的公式如下：

其中m1、m2分別是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的亞閾值斜率因子，VT為熱電壓,μ1、μ2分別是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的電子遷移率；C0x1分別為第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的柵氧化電容值；VTH1、VTH2分別是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的閾值電壓；(W/L)N1、(W/L)P1分別是第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的寬長(zhǎng)比。

6.如權(quán)利要求1所述的一種四管電壓基準(zhǔn)電路，其特征在于：所述輸出基準(zhǔn)電壓V_REF的公式如下：

其中(W/L)_N2、(W/L)_P2分別是第二NMOS管MN2和第二PMOS管MP2的寬長(zhǎng)比。

化簡(jiǎn)得公式如下：