[發(fā)明專利]10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構及其測試方法

有效

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• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN110445082B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設計）人: 楊鑫;祝歡歡;鐘淼龍;孫浩天;丁學輝
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: H02G7/20
• 分類號: H02G7/20;G01R31/12
• 代理公司: 長沙朕揚知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 43213
• 代理人: 何湘玲

1.一種10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，包括：

在10kV配電線路中，同一基桿塔的一回線路僅在一相安裝并聯(lián)間隙，左右相鄰的二基桿塔的兩個并聯(lián)間隙分別安裝在三相中的另外兩相，每三基相鄰桿塔配合安裝一組三個并聯(lián)間隙。

2.根據(jù)權利要求1所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，所述并聯(lián)間隙并聯(lián)在絕緣子或絕緣子串上，由兩個電極構成，一個電極安裝在高壓側(cè)，一個電極安裝在地電位側(cè)，所述并聯(lián)間隙的間隙距離小于所述絕緣子或絕緣子串的結構高度，所述兩個電極均為不銹鋼材料的球形電極，兩個電極為球?qū)η虻拈g隙安裝。

3.根據(jù)權利要求1所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，當所述10kV配電線路中的桿塔位于感應雷過電壓影響區(qū)域時，所述并聯(lián)間隙的放電電壓為111.2kV；當所述10kV配電線路中的桿塔位于直擊雷影響區(qū)域時，所述并聯(lián)間隙安裝的并聯(lián)間隙的放電電壓為83.4kV。

4.根據(jù)權利要求3所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，當所述10kV配電線路中的桿塔位于感應雷過電壓影響區(qū)域時，采用電極的球直徑為25mm時，所述并聯(lián)間隙安裝的間隙距離為189.45mm～203.79mm；當所述10kV配電線路中的桿塔位于直擊雷影響區(qū)域時，采用電極的球直徑為25mm時，所述并聯(lián)間隙安裝的間隙距離為147.19mm～161.14mm。

5.根據(jù)權利要求3所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，所述直擊雷影響區(qū)域為空曠地帶和\或山區(qū)；所述感應雷過電壓影響區(qū)域為除直擊雷影響區(qū)域之外的區(qū)域。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構，其特征在于，所述10kV配電線路中的多基桿塔以相鄰的三基桿塔為一桿塔組，同一10kV配電線路中所有桿塔組中三相的三個并聯(lián)間隙的次序相同。

7.一種根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：

在仿真軟件中模擬10kV配電線路中安裝所述并聯(lián)間隙的單相安裝結構，進行仿真，得到并聯(lián)間隙的單相安裝結構的感應雷和直擊雷下的10kV配電線路的感應雷擊跳閘率以及直擊雷下的反擊跳閘率。

8.根據(jù)權利要求7所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構的測試方法，其特征在于，所述感應雷擊跳閘率n₁通過如下公式計算得到：

n₁＝NP₁η (1)

式(1)中：N為某一定長度配電線路周圍每年遭受雷擊的次數(shù)，P₁為雷電流幅值大于反擊耐雷水平I的概率，η為建弧率；

所述直擊雷下的反擊跳閘率n₂通過如下公式計算得到：

n₂＝N₁P₁gη (2)

式(2)中：N₁為某一定長度配電線路每年遭受雷擊的次數(shù)，P₁為雷電流幅值大于反擊耐雷水平I的概率，η為建弧率，g為雷電擊中配電線路桿塔的擊桿率。

9.根據(jù)權利要求8所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構的測試方法，其特征在于，所述建弧率η計算公式如下：

η＝4.5E^0.75-14(％) (3)

式(3)中：E為絕緣子的平均運行電位梯度，單位為kV/m；在10kV配電線路中，

式(4)中：U_N為線路額定電壓，單位為kV；l₁為絕緣子的放電距離或并聯(lián)間隙放電距離，單位為m；l₂為橫擔線路的線間距離，單位為m。

10.根據(jù)權利要求8所述的10kV配電線路的并聯(lián)間隙的單相安裝結構的測試方法，其特征在于，雷電流幅值大于反擊耐雷水平I的概率P₁計算公式如下：