[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示面板

在審

• 申請號: 201910766043.3
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN110534475A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 馬偉欣;陳彩琴
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 44300 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)
• 代理人: 黃威<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本申請涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，該陣列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括顯示區域以及位于顯示區域周邊的非顯示區域；在基底上形成無機膜組層；在無機膜組層上制作開口，并形成圖案化的源漏極層，開口位于非顯示區域，源漏極層不覆蓋且不填充開口；在無機膜組層上形成有機平坦層，有機平坦層覆蓋源漏極層，且填充并覆蓋開口。通過這種方式，在位于非顯示區域的無機膜組層上制作開口，并在后續平坦層制作工藝中填充開口，減少了采用有機材料填充開口的工藝，進而節省了該工藝的掩膜版，有利于降低成本。

【技術領域】

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。

【背景技術】

有源矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，簡稱AMOLED)面板因其高對比度、廣色域、低功耗、可折疊等特性，逐漸成為新一代顯示技術。

目前，柔性AMOLED的陣列基板制程包括10～12道工藝，比剛性AMOLED的陣列基板制程多出2～3道工藝。其中，這多出的工藝主要是對位于非顯示彎折區上的應力較差、以及柔韌性不好的無機膜層進行刻蝕挖孔，并采用柔韌性較好的有機材料填充，以提高非顯示彎折區的彎曲性能。

但是，上述柔性AMOLED的陣列基板制程存在工藝步驟多、以及成本高的問題。

【發明內容】

本申請的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，以減少陣列基板的制程工藝，并降低成本。

為了解決上述問題，本申請實施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括顯示區域以及位于顯示區域周邊的非顯示區域；在基底上形成無機膜組層；在無機膜組層上制作開口，并形成圖案化的源漏極層，開口位于非顯示區域，源漏極層不覆蓋且不填充開口；在無機膜組層上形成有機平坦層，有機平坦層覆蓋源漏極層，且填充并覆蓋開口。

其中，在無機膜組層上制作開口，并形成圖案化的源漏極層步驟，具體包括：在無機膜組層上形成圖案化的源漏極層；在無機膜組層未被源漏極層覆蓋的區域上制作開口，開口位于非顯示區域。

其中，開口包括在基底上層疊連通的第一孔和第二孔，在無機膜組層上制作開口的步驟，具體包括：通過曝光、刻蝕，在無機膜組層上制作具有第一預設深度的第一孔；通過曝光、刻蝕，經由第一孔，沿靠近基底的方向在無機膜組層上制作具有第二預設深度的第二孔，第二預設深度與第一預設深度之和等于無機膜組層的厚度。

其中，無機膜組層包括依次遠離基底的緩沖層、第一柵絕緣層、第二柵絕緣層、以及層間介質層，在基底上形成無機膜組層的步驟，具體包括：在基底上沉積緩沖層；在緩沖層上沉積第一柵絕緣層；在第一柵絕緣層上沉積第二柵絕緣層；在第二柵絕緣層上沉積層間介質層。

其中，在基底上沉積緩沖層的步驟之后，還包括：在緩沖層上形成低溫多晶硅層，低溫多晶硅層位于顯示區域，且第一柵絕緣層覆蓋低溫多晶硅層；在緩沖層上沉積第一柵絕緣層的步驟之后，還包括：在第一柵絕緣層上形成第一金屬層，第一金屬層位于顯示區域，且第二柵絕緣層覆蓋第一金屬層；在第一柵絕緣層上沉積第二柵絕緣層的步驟之后，還包括：在第二柵絕緣層上形成第二金屬層，第二金屬層位于顯示區域，且層間介質層覆蓋第二金屬層。

為了解決上述問題，本申請實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：基底，基底包括顯示區域以及位于顯示區域周邊的非顯示區域；位于基底上的無機膜組層，無機膜組層上開設有開口，開口位于非顯示區域；位于無機膜組層上的圖案化的源漏極層，源漏極層不覆蓋且不填充開口；位于無機膜層上的有機平坦層，有機平坦層覆蓋源漏極層，且填充并覆蓋開口。

其中，非顯示區域包括彎折區以及位于彎折區側邊的非彎折區，開口位于彎折區，且為多個。

其中，多個開口在彎折區上呈陣列分布。