[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示面板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910766043.3
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN110534475A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬偉欣;陳彩琴
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 44300 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 黃威<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域；

在所述基底上形成無機(jī)膜組層；

在所述無機(jī)膜組層上制作開口，并形成圖案化的源漏極層，所述開口位于所述非顯示區(qū)域，所述源漏極層不覆蓋且不填充所述開口；

在所述無機(jī)膜組層上形成有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層覆蓋所述源漏極層，且填充并覆蓋所述開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述無機(jī)膜組層上制作開口，并形成圖案化的源漏極層步驟，具體包括：

在所述無機(jī)膜組層上形成圖案化的源漏極層；

在所述無機(jī)膜組層未被所述源漏極層覆蓋的區(qū)域上制作開口，所述開口位于所述非顯示區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述開口包括在所述基底上層疊連通的第一孔和第二孔，在所述無機(jī)膜組層上制作開口的步驟，具體包括：

通過曝光、刻蝕，在所述無機(jī)膜組層上制作具有第一預(yù)設(shè)深度的所述第一孔；

通過曝光、刻蝕，經(jīng)由所述第一孔，沿靠近所述基底的方向在所述無機(jī)膜組層上制作具有第二預(yù)設(shè)深度的所述第二孔，所述第二預(yù)設(shè)深度與所述第一預(yù)設(shè)深度之和等于所述無機(jī)膜組層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述無機(jī)膜組層包括依次遠(yuǎn)離所述基底的緩沖層、第一柵絕緣層、第二柵絕緣層、以及層間介質(zhì)層，在所述基底上形成無機(jī)膜組層的步驟，具體包括：

在所述基底上沉積緩沖層；

在所述緩沖層上沉積第一柵絕緣層；

在所述第一柵絕緣層上沉積第二柵絕緣層；

在所述第二柵絕緣層上沉積層間介質(zhì)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述基底上沉積緩沖層的步驟之后，還包括：

在所述緩沖層上形成低溫多晶硅層，所述低溫多晶硅層位于所述顯示區(qū)域，且所述第一柵絕緣層覆蓋所述低溫多晶硅層；

在所述緩沖層上沉積第一柵絕緣層的步驟之后，還包括：

在所述第一柵絕緣層上形成第一金屬層，所述第一金屬層位于所述顯示區(qū)域，且所述第二柵絕緣層覆蓋所述第一金屬層；

在所述第一柵絕緣層上沉積第二柵絕緣層的步驟之后，還包括：

在所述第二柵絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層位于所述顯示區(qū)域，且所述層間介質(zhì)層覆蓋所述第二金屬層。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域；

位于所述基底上的無機(jī)膜組層，所述無機(jī)膜組層上開設(shè)有開口，所述開口位于所述非顯示區(qū)域；

位于所述無機(jī)膜組層上的圖案化的源漏極層，所述源漏極層不覆蓋且不填充所述開口；

位于所述無機(jī)膜層上的有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層覆蓋所述源漏極層，且填充并覆蓋所述開口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述非顯示區(qū)域包括彎折區(qū)以及位于所述彎折區(qū)側(cè)邊的非彎折區(qū)，所述開口位于所述彎折區(qū)，且為多個。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述多個開口在所述彎折區(qū)上呈陣列分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述開口為凹槽或通孔。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求6-9任一項所述的陣列基板。