[發明專利]一種改性硫化鋅及其制備方法與量子點發光二極管

有效

• 申請號: 201910763337.0
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN112397671B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;吳志益

本發明公開了一種改性硫化鋅及其制備方法與量子點發光二極管，其中，所述改性硫化鋅的制備方法包括步驟：將硫化鋅納米顆粒與肼混合在有機溶劑中，使肼分子結合在所述硫化鋅納米顆粒表面，制得所述改性硫化鋅。本發明制備的改性硫化鋅具有高導電性，所述改性硫化鋅在作為電子傳輸層材料時，能夠有效提高其電子傳輸效率，促進電子?空穴有效地復合，降低激子累積對量子點發光二極管性能的影響，從而提高量子點發光二極管的發光效率。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管領域，尤其涉及一種改性硫化鋅及其制備方法與量子點發光二極管。

背景技術

半導體量子點具有量子尺寸效應，人們通過調控量子點的大小可實現所需要的特定波長的發光，例如CdSe量子點的發光波長調諧范圍可以從藍光一直到紅光。在傳統的無機電致發光器件中電子和空穴分別從陰極和陽極注入，然后在發光層復合形成激子發光。寬禁帶半導體中的導帶電子可以在高電場下加速獲得足夠高的能量撞擊量子點材料使其發光。

近年來，無機半導體作為電子傳輸層成為比較熱的研究內容，納米ZnS是寬禁帶半導體材料，由于具有量子限域效應、尺寸效應和優越的熒光特性等優點而吸引了眾多研究者的目光。在近十幾年里，ZnS納米材料已經在光催化、傳感器、透明電極、熒光探針、二極管、太陽能電池和激光器等領域的研究中顯示出了巨大的發展潛力。ZnS是Ⅱ-Ⅵ族半導體材料，具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種不同的結構，禁帶寬度(3.62eV)化學性質穩定，資源豐富，價格便宜等特點。

雖然ZnS具有優異的量子限域效應、尺寸效應以及優越的熒光特性，但是ZnS的導電性較差，導致其電子傳輸效率較低，從而降低了QLED器件的發光效率。

表面化學修飾可以通過對超導、金屬態、半金屬態及半導體態等電子結構形態進行改變，從而引發電子轉移或晶格變化來改變其本征物理性質。更為重要的是，這類引發表面電子轉移或局部晶格畸變的化學修飾方式不會破壞材料結構的完整性，因此成為調控無機納米材料本征物理性質的有效方法。但是，通過表面化學修飾硫化鋅作為電子傳輸層卻是鮮有人報道。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種改性硫化鋅及其制備方法與量子點發光二極管，旨在解決現有硫化鋅納米顆粒的導電性能低，其作為QLED電子傳輸層材料時的電子遷移率較低，進而降低了QLED發光效率的問題。

本發明的技術方案如下：

一種改性硫化鋅的制備方法，其中，包括步驟：

提供硫化鋅納米顆粒；

將所述硫化鋅納米顆粒與肼混合在有機溶劑中，使肼分子結合在所述硫化鋅納米顆粒表面，制得所述改性硫化鋅。

一種改性硫化鋅，其中，包括硫化鋅納米顆粒以及結合在所述硫化鋅納米顆粒表面的肼分子。

一種量子點發光二極管，包括電子傳輸層，其中，所述電子傳輸層的材料為本發明所述制備方法制備的改性硫化鋅，或為本發明所述改性硫化鋅。

有益效果：本發明制備的改性硫化鋅具有高導電性，所述改性硫化鋅在作為電子傳輸層材料時，能夠有效提高其電子傳輸效率，促進電子-空穴有效地復合，降低激子累積對量子點發光二極管性能的影響，從而提高量子點發光二極管的發光效率。本發明提供的改性硫化鋅備方法簡單、普適性強，有利于大規模生產。

附圖說明

圖1為本發明一種改性硫化鋅的制備方法較佳實施例的流程圖。

圖2為本發明正裝結構的含電子傳輸層的QLED的結構示意圖。

圖3為本發明倒裝結構的含電子傳輸層的QLED的結構示意圖。

具體實施方式