[發明專利]上電極結構、刻蝕腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201910758601.1
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN110459456B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 劉春明;李興存
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種上電極結構，用于向刻蝕腔室內施加射頻功率，其特征在于，包括：線圈、電極及射頻電源組件；

所述線圈設置于所述刻蝕腔室內，且位于設置在所述刻蝕腔室內的介質窗的上方；

所述電極設置于所述刻蝕腔室內，且位于所述介質窗的上方，所述電極在所述介質窗上的投影位于所述線圈在所述介質窗上的投影的徑向上的內側和/或外側；

所述射頻電源組件與所述線圈及所述電極電連接，所述射頻電源組件用于在進行刻蝕工藝時，僅向所述線圈施加射頻功率；所述射頻電源組件還用于在對所述介質窗進行清洗時，向所述線圈及所述電極施加射頻功率。

2.如權利要求1所述的上電極結構，其特征在于，所述電極包括內電極以及與所述內電極相連的外電極；所述內電極位于所述線圈徑向上的內側，所述外電極位于所述線圈徑向上的外側。

3.如權利要求2所述的上電極結構，其特征在于，所述內電極的外緣與所述線圈之間沿徑向具有第一距離；所述外電極的內緣與所述線圈之間沿徑向具有第二距離；所述第一距離及所述第二距離均大于等于一預設安全閾值。

4.如權利要求3所述的上電極結構，其特征在于，所述預設安全閾值大于等于20毫米。

5.如權利要求2-4任一項所述的上電極結構，其特征在于，所述內電極為圓形結構，所述外電極為環形結構；或者，所述內電極為星形結構，所述外電極為環狀星形結構。

6.如權利要求1-4任一項所述的上電極結構，其特征在于，所述電極、所述線圈均與所述刻蝕腔室內的介質窗貼合設置。

7.如權利要求1-4任一項所述的上電極結構，其特征在于，所述線圈包括至少兩個平面單圈線圈，所述至少兩個平面單圈線圈沿徑向并列排布且同心、共面設置。

8.如權利要求1至4的任一所述的上電極結構，其特征在于，所述射頻電源組件包括：射頻電源、匹配器、繼電器及電容，所述射頻電源依次通過所述匹配器、所述繼電器及所述電容與所述電極電連接；所述射頻電源通過所述匹配器與所述線圈電連接；當進行刻蝕時，所述繼電器斷開且所述射頻電源向所述線圈施加射頻功率；當需要進行清洗時，所述繼電器閉合且所述射頻電源同時向所述線圈及所述電容施加射頻功率，所述電容向所述電極施加電壓。

9.一種刻蝕腔室，其特征在于，所述刻蝕腔室內設置有如權利要求1至8的任一所述的上電極結構。

10.一種半導體加工設備，其特征在于，包括如權利要求9所述的刻蝕腔室。