[發(fā)明專利]芯片轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910738573.7 | 申請日: | 2019-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN110429051B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉召軍;邱成峰;莫煒靜;鄭漢宇 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種芯片轉(zhuǎn)移方法,包括:將彈性膜的第一表面覆蓋于至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè),以吸附具有第一間距的所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片,所述彈性膜的第一表面涂覆有膠層;在至少一個(gè)方向上拉伸所述彈性膜以調(diào)整所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的之間距離為第二間距;將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上,以將所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片以所述第二間距轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)件。解決現(xiàn)有芯片巨量轉(zhuǎn)移問題,實(shí)現(xiàn)了提高轉(zhuǎn)移效率和降低轉(zhuǎn)移成本的效果,同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了芯片轉(zhuǎn)移時(shí)的密度調(diào)整。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及芯片的轉(zhuǎn)移技術(shù),尤其涉及一種芯片轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
Micro-LED是新一代顯示技術(shù),比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。Micro-LED具備一系列優(yōu)勢,可以預(yù)見,未來必將廣泛應(yīng)用于顯示技術(shù)領(lǐng)域。
轉(zhuǎn)移是Micro-LED芯片領(lǐng)域的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法一般為:將現(xiàn)成采購的芯片板上的大量Micro-LED芯片逐個(gè)切割,再逐個(gè)(或幾十個(gè)一起)轉(zhuǎn)貼到目標(biāo)件上,轉(zhuǎn)移效率低下,生產(chǎn)成本很高,不適用于高精度顯示屏的制備工藝中。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種芯片轉(zhuǎn)移方法,以提高巨量轉(zhuǎn)移芯片的轉(zhuǎn)移效率和降低轉(zhuǎn)移成本。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片轉(zhuǎn)移方法,包括:
將彈性膜的第一表面覆蓋于至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè),以吸附具有第一間距的所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片,所述彈性膜的第一表面涂覆有膠層;
在至少一個(gè)方向上拉伸所述彈性膜以調(diào)整所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的之間距離為第二間距;
將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上,以將所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片以所述第二間距轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)件。
可選的,所述將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上,以將所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片以所述第二間距轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)件之后,還包括:
將所述彈性膜的第一表面與所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè)分離。
可選的,所述將所述彈性膜的第一表面覆蓋于至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè)之前,還包括:
對承載所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的芯片基板進(jìn)行切割,以分離所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片。
可選的,所述彈性膜上還設(shè)有第一位置標(biāo)記,所述將彈性膜的第一表面覆蓋于至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè)包括:
根據(jù)第一位置標(biāo)記將所述彈性膜的第一表面覆蓋于至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè)。
可選的,所述目標(biāo)件還設(shè)有第二位置標(biāo)記,所述將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上包括:
根據(jù)所述第一位置標(biāo)記和所述第二位置標(biāo)記將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上。
可選的,所述將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上之前,還包括:
在目標(biāo)件的預(yù)設(shè)位置上涂覆焊接料。
可選的,所述在目標(biāo)件的預(yù)設(shè)位置上涂覆焊接料之后還包括:
加熱所述目標(biāo)件以融化焊接料;
將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上,以將所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片以所述第二間距轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)件,還包括:
根據(jù)所述預(yù)設(shè)位置將拉伸后的所述彈性膜的第一表面覆蓋在目標(biāo)件上;
通過冷卻所述焊接料將所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第二側(cè)與目標(biāo)件固定連接。
可選的,所述膠層為紫外失粘膠,所述將所述彈性膜的第一表面與所述至少兩個(gè)待轉(zhuǎn)移芯片的第一側(cè)分離之前還包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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