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[發(fā)明專利]一種miniled基板封裝方法有效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201910735331.2 申請日: 2019-08-09
公開(公告)號: CN110635016B 公開(公告)日: 2021-07-09
發(fā)明(設(shè)計)人: 康孝恒;蔡克林;李瑞;許凱 申請(專利權(quán))人: 惠州市志金電子科技有限公司
主分類號: H01L33/62 分類號: H01L33/62;H01L33/58;H01L33/56;H01L33/48
代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44288 代理人: 陶潔雯
地址: 516000 廣東省*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 miniled 封裝 方法
【權(quán)利要求書】:

1.一種miniled基板封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:

備料步驟:準備雙面覆銅板,所述雙面覆銅板的厚度為100~1000μm,其中單層銅箔的厚度為12~35μm;

鉆孔步驟:對所述雙面覆銅板進行鉆孔,確保所鉆的鉆孔貫穿所述雙面覆銅板的兩層銅箔;

鍍銅步驟:對所述雙面覆銅板的鉆孔孔壁進行鍍銅,以使位于所述鉆孔孔壁的鍍銅層連接所述雙面覆銅板兩面的銅箔,以使所述雙面覆銅板兩面的銅箔形成電連接;

填孔步驟:用黑色樹脂或黑色油墨將所述鉆孔填滿;

電路制作步驟:在雙面覆銅板的兩面分別制作正、反面電路,并在所述電路設(shè)置電路焊盤;

阻焊層制作步驟:用黑色阻焊油墨將所述雙面覆銅板的底面涂覆,用黑色阻焊油墨將所述雙面覆銅板的頂面邊緣涂覆,以保護電路;

抗氧化層制作步驟:在所述電路焊盤的裸露表面鍍抗氧化層;

異向?qū)щ娔z制作步驟:通過黑色樹脂將異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜貼附在需要貼裝miniled芯片的電路焊盤;

固晶步驟:將miniled芯片轉(zhuǎn)移至相應(yīng)的所述電路焊盤,并將所述miniled芯片粘合在所述異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜的表面;

封裝步驟:將所述miniled芯片與所述電路焊盤通過回流焊接的方式焊接在一起,回流焊接后,所述異向?qū)щ娔z制作步驟所用到的黑色樹脂熔化,并因表面張力包裹所述miniled芯片的側(cè)面,而所述異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜在所述miniled芯片的底部受熱熔化,以將所述miniled芯片的底部焊盤與所述基板的焊盤導(dǎo)通焊接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:所述雙面覆銅板的樹脂層為BT樹脂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:所述雙面覆銅板為Tg值大于150攝氏度的FR4雙面覆銅板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:在所述填孔步驟中,將所述鉆孔填滿后,將鉆孔孔口邊緣處多余的樹脂或油墨研磨去掉,以使所述鉆孔孔口邊緣處平整。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:所述抗氧化層為鎳金、鎳鈀金或OSP抗氧化膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:所述異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜的導(dǎo)電粒子的球徑為5~10μm,所述導(dǎo)電粒子采用鉍-錫合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:所述miniled芯片為miniled倒裝芯片,將所述miniled倒裝芯片的正、負極分別通過所述異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜來實現(xiàn)與基板的正負極焊盤電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:在所述封裝步驟中,通過對所述miniled芯片進行模壓灌膠或印刷封膠的方式進行封裝,使所述miniled芯片表面形成封裝膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的miniled基板封裝方法,其特征在于:在所述異向?qū)щ娔z制作步驟中,所述異向?qū)щ娔z/異向?qū)щ娔z膜的厚度為10~12μm。

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