[發明專利]光學結構晶體及其制造方法

在審

• 申請號: 201910732856.0
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN112060638A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 梁武智;沈姿里
• 申請（專利權）人: 高雄塑酯化學工業股份有限公司
• 主分類號: B29D11/00
• 分類號: B29D11/00;G02B1/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 姚亮;任默聞

1.一種光學結構晶體的制造方法，包括：

步驟(a)，提供至少一壓克力物料；

步驟(b)，碎化該壓克力物料，以形成多個壓克力碎片，各所述壓克力碎片具有至少三個光學表面；

步驟(c)，將所述壓克力碎片與甲基丙烯酸甲酯及色料混合，以形成一混合物；

步驟(d)，將所述混合物置入一成型模具中；及

步驟(e)，固化所述成型模具中的所述混合物，以形成一光學結構晶體。

2.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(a)中，所述壓克力物料為壓克力板裁切剩余的邊角余料。

3.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(b)中，各所述壓克力碎片的尺寸為0.25mm至5mm。

4.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(b)中，所述至少三個光學表面的其中之一為平面。

5.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(b)中，所述至少三個光學表面的其中之一為斜面。

6.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(c)中，所述甲基丙烯酸甲酯的重量百分比小于等于所述壓克力碎片的重量百分比。

7.如權利要求6所述的光學結構晶體的制造方法，其中，所述甲基丙烯酸甲酯的重量百分比為30wt％至40wt％。

8.如權利要求6所述的光學結構晶體的制造方法，其中，所述壓克力碎片的重量百分比為60wt％至70wt％。

9.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(c)中，所述色料包括夜光粉。

10.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(c)中，還包括添加一硬化劑于所述混合物中。

11.如權利要求10所述的光學結構晶體的制造方法，其中，所述硬化劑為過氧化物。

12.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(d)中，還包括對所述混合物進行抽氣。

13.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(e)中，固化所述混合物的第一階段溫度為40℃至65℃，第二階段溫度為100℃至120℃。

14.如權利要求1所述的光學結構晶體的制造方法，其中，在所述步驟(e)之后，所述制造方法還包括：

步驟(f)，對所述光學結構晶體進行火焰拋光。

15.一種光學結構晶體，包括：

多個壓克力碎片，各所述壓克力碎片具有至少三個光學表面；

甲基丙烯酸甲酯，包覆所述壓克力碎片；及

色料，分散設置于所述甲基丙烯酸甲酯中。

16.如權利要求15所述的光學結構晶體，其中，各所述壓克力碎片的尺寸為0.25mm至5mm。

17.如權利要求15所述的光學結構晶體，其中，所述至少三個光學表面的其中之一為平面。

18.如權利要求15所述的光學結構晶體，其中，所述至少三個光學表面的其中之一為斜面。

19.如權利要求15所述的光學結構晶體，其中，所述甲基丙烯酸甲酯的重量百分比小于等于所述壓克力碎片的重量百分比。