[發明專利]半導體基板及其制備方法在審
| 申請號： | 201910724774.1 | 申請日： | 2019-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN112349701A | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供襯底，所述襯底包括功能區及測量區；
采用相同工藝步驟在所述襯底的功能區形成至少一功能膜層，在所述測量區形成至少一測量膜層，在俯視方向上，所述測量膜層被劃分為至少一測量單元，所述測量單元的形狀為多邊形，所述多邊形的內角大于90度。
2.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，所述多邊形為正多邊形。
3.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，所述多邊形為正八邊形。
4.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，所述測量區設置在所述功能區的邊緣。
5.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，所述測量膜層被劃分為多個測量單元，所述測量單元矩陣排布。
6.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，所述測量膜層被劃分為多個測量單元，所述測量單元彼此獨立。
7.根據權利要求1所述的半導體基板的制備方法，其特征在于，在所述測量區域形成所述測量單元的方法包括如下步驟：
提供掩膜板，所述掩膜板對應所述測量單元的區域具有多邊形開口，所述多邊形開口的內角大于90度；
在形成測量膜層的步驟中，測量膜層通過所述多邊形開口沉積而形成所述測量單元。
8.一種半導體基板，其特征在于，包括功能區及測量區，所述功能區具有至少一功能膜層，所述測量區具有至少一測量膜層，在俯視方向上，所述測量膜層被劃分為至少一測量單元，所述測量單元的形狀為多邊形，所述多邊形的內角大于90度。
9.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，所述多邊形為正多邊形。
10.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，所述多邊形為正八邊形。
11.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，所述測量區設置在所述功能區的邊緣。
12.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，所述測量膜層被劃分為多個測量單元，所述測量單元矩陣排布。
13.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，所述測量膜層被劃分為多個測量單元，所述測量單元彼此獨立。
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