[發明專利]半導體裝置及其制造方法與產生布局圖的系統

在審

• 申請號: 201910651401.6
• 申請日: 2019-07-16
• 公開（公告）號: CN110795906A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 林威呈;楊惠婷;曾健庭;袁立本;賴韋安
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

一種半導體裝置及其制造方法與產生布局圖的系統。產生布局圖的方法，包含：識別布局圖中具有多個單元的第一區域，第一區域包含大致上平行第一方向延伸的第一列及第二列，第一列及第二列具有大致上相異的單元密度；相對于大致上垂直于第一方向的第二方向，第一列及第二列分別具有第一高度(H1)及第二高度(H2)；對于在第一列的第一位置中具有第一高度的所述多個單元中的第一高度單元，以多列高度單元替換第一高度單元，相對于第一方向上，多列高度單元較第一單元窄；以及放置多列高度單元的第一部分于部分的第一位置，借以使第一列及第二列具更相似的單元密度。

技術領域

本揭示是有關于一種半導體裝置，特別是關于其中集成電路布局圖的方法，包含布局圖的產生方法、系統以及依照前述的布局圖所制造的半導體裝置。

背景技術

集成電路包含一個或多個半導體裝置。一種用來表示為半導體裝置的方式為平面圖，特別是指半導體裝置的布局圖。布局圖是用以產生設計準則的背景。設計準則的套組于布局圖中，強制施行對應圖案位置的約束，例如地區上或空間上的限制、連接限制等等。通常，設計準則的套組包含其子套組，且子套組關聯于空間或其他相鄰或鄰接單元之間圖案的交互作用，其中圖案能表示為金屬層中的導體。

一般而言，設計準則的套組是為了特定的某種制程，并根據布局圖借以制造半導體裝置。設計準則套組是為了對應制程上變動性而作的補償。通過布局圖而產生的實際半導體裝置，及根據布局圖而產生的虛擬裝置，前述的補償能提升實際半導體裝置相對于虛擬裝置為可接受裝置的可能性。

發明內容

本揭示案的一實施例是關于一種制造半導體裝置的方法，方法包含對于儲存在非暫態計算機可讀取媒體的布局圖，產生布局圖。產生布局圖的方法的特征在于，包含：識別布局圖中具有多個單元的第一區域，第一區域包含大致上平行第一方向延伸的第一列及第二列，第一列及第二列具有大致上相異的單元密度；相對于大致上垂直于第一方向的第二方向，第一列及第二列具有對應的第一高度(H1)及第二高度(H2)；對于在第一列的第一位置中具有第一高度的所述多個單元中的第一高度單元，以多列高度單元替換第一高度單元，相對于第一方向上，多列高度單元較第一單元窄；以及放置多列高度單元的第一部分于部分的第一位置，借以使第一列及第二列具更相似的單元密度。

本揭示案的一實施例是關于一種產生布局圖的系統，布局圖儲存于非暫態計算機可讀取媒體。系統的特征在于，包含：處理器；以及記憶體，包含用于一個或多個程序的計算機程序碼；其中記憶體中，計算機程序碼及處理器用以使系統執行：識別布局圖中具有多個單元的第一區域，第一區域包含大致上平行于第一方向延伸并交錯的第一列及第二列；相對于大致上垂直于第一方向的第二方向，第一列具有第一高度且第二列具有相異于第一高度的第二高度；以及第一列的初始平均單元密度大于第二列的初始平均單元密度；以多個第二單元替換對應于第一列的對應的多個第一單元，其中：減少對應于一個或多個第一列的單元密度；增加對應于一個或多個第二列的單元密度；借以實際上增加第一列及第二列的整體單元密度。

本揭示案的一實施例是關于一種半導體裝置，其特征在于，包含：區域，包含設置于大致上平行第一方向延伸并交錯的多個第一列及多個第二列的單元區域；相對于大致上垂直于第一方向的第二方向，第一列及第二列具有對應的第一高度及第二高度；多數的單元區域相對第二方向跨越單一列；少數的單元區域相對于第二方向跨越二個或多個列；以及所述多個第二列的單元區域密度約為百分之四十或者所述多個第二列的單元區域密度為至少在大于百分之四十并小于等于該第二密度且小于等于百分之七十的范圍內。

附圖說明

為讓本揭示案的一些實施例所揭示的內容能更明顯易懂，所附附圖的說明如下。應注意的是，依照產業中的標準方法，各種特征并不會依其尺規呈現于圖示中。實際上，為了厘清討論內容，各種特征的維度可能任意增加或減少。

圖1為根據本揭示案的一些實施例所繪示半導體裝置的方塊圖；

圖2A–2G為根據本揭示案的一些實施例所繪示的對應的布局圖；