[發明專利]半導體裝置及其制造方法與產生布局圖的系統

在審

• 申請號: 201910651401.6
• 申請日: 2019-07-16
• 公開（公告）號: CN110795906A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 林威呈;楊惠婷;曾健庭;袁立本;賴韋安
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：

對于儲存在一非暫態計算機可讀取媒體的一布局圖，產生該布局圖，其特征在于，包含：

識別該布局圖中具有多個單元的一第一區域，該第一區域包含大致上平行一第一方向延伸的一第一列及一第二列，該第一列及該第二列具有大致上相異的單元密度；

相對于大致上垂直于該第一方向的一第二方向，該第一列及該第二列具有對應的一第一高度及一第二高度；

對于在該第一列的一第一位置中具有該第一高度的所述多個單元中的一第一高度單元，以一多列高度單元替換該第一高度單元，相對于該第一方向上，該多列高度單元較該第一單元窄；以及

放置該多列高度單元的一第一部分于部分的該第一位置，借以使該第一列及該第二列具更相似的單元密度。

2.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，其中識別該第一區域的步驟還包含：

辨認該第一列大致上是以所述多個單元中對應的多個單元來填充；以及

辨認該第二列為大致上缺少所述多個單元中對應的多個單元。

3.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，其中該第二高度小于該第一高度；以及

該多列高度單元的高度等于該第二高度加該第一高度。

4.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，其中放置該多列高度單元的步驟還包含：

增設該多列高度單元的一第二部分于該第二列的一第二位置，該第二位置相對于該第二方向鄰接該第一位置；以及

增設該多列高度單元的一第三部分于一第三列的一第三位置，該第三位置相對于該第二方向鄰接該第一位置或者該第三位置相對于該第二方向鄰接該第二位置。

5.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于，還包含：

根據該布局圖制造至少一個(A)或(B)，其中(A)為一個或多個半導體光罩，(B)為半導體集成電路的層中的至少一個元件。

6.一種產生布局圖的系統，該布局圖儲存于一非暫態計算機可讀取媒體，該系統的特征在于，包含：

至少一處理器；以及

至少一記憶體，包含用于一個或多個程序的一計算機程序碼；

其中該至少一記憶體中，該計算機程序碼及該處理器用以使該系統執行：

識別該布局圖中具有多個單元的一第一區域，該第一區域包含大致上平行于一第一方向延伸并交錯的一第一列及一第二列；

相對于大致上垂直于該第一方向的一第二方向，該第一列具有一第一高度且該第二列具有相異于該第一高度的一第二高度；以及

該第一列的初始平均單元密度大于該第二列的初始平均單元密度；

以多個第二單元替換對應于該第一列的對應的多個第一單元，其中：

減少對應于一個或多個該第一列的單元密度；

增加對應于一個或多個該第二列的單元密度；

借以實際上增加該第一列及該第二列的單元密度。

7.根據權利要求6所述的產生布局圖的系統，其特征在于，其中對于識別該第一區域的步驟，該至少一記憶體、該計算機程序碼及該至少一處理器更用以使該系統執行：

辨認該第一列大致上是以所述多個單元中對應的多個單元來填充；以及

辨認該第二列為大致上缺少所述多個單元中對應的多個單元。