[發(fā)明專利]一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910650331.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111564520A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張?zhí)旖?/a>;劉大偉;倪玉鳳;楊露;宋志成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司;黃河水電西寧太陽(yáng)能電力有限公司;國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司;青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 太陽(yáng)能電池 制作 摻雜 方法 | ||
1.一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述方法按順序包括制絨工藝、單面刻蝕工藝、離子注入工藝、RCA清洗工藝、擴(kuò)散摻雜工藝和鍍膜及金屬化工藝;
所述制絨工藝為將原始硅片利用加熱的強(qiáng)酸或者強(qiáng)堿溶液去除損傷層,然后利用低濃度的堿性溶液對(duì)硅片的各向異性腐蝕特性進(jìn)行制絨;
所述單面刻蝕工藝為利用HNO3及HF的混合溶液對(duì)硅片進(jìn)行單面刻蝕;
所述離子注入工藝為通過(guò)離子注入機(jī)臺(tái)在刻蝕面注入磷源或硼源;
所述RCA清洗工藝為將離子注入后的硅片通過(guò)強(qiáng)酸溶液去除所述離子注入工藝引入的有機(jī)物及表面的金屬離子污染;
所述擴(kuò)散摻雜工藝為將RCA清洗后的兩塊晶片經(jīng)過(guò)所述離子注入工藝的面朝向內(nèi),載入到石英舟內(nèi),完成正面的硼擴(kuò)散摻雜工藝或磷摻雜工藝,N2和O2的混合氣體攜帶硼源或磷源氣體,在硅片表面形成形成N性電池的PN結(jié);
所述鍍膜及金屬化工藝為將經(jīng)過(guò)所述擴(kuò)散摻雜工藝的晶片采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%-6%的HF溶液對(duì)正面發(fā)射極及背面硅玻璃同時(shí)去除,最后再進(jìn)行鍍膜及金屬化工藝完成N型電池結(jié)構(gòu)的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述制絨工藝采用KOH(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~10%)與H2O2(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3~6%)的混合溶液去除損傷層,溫度為50℃~85℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述制絨工藝采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~4%的KOH或NaOH溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行制絨。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述制絨工藝過(guò)程添加異丙醇溶液以減慢制絨速率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述離子注入工藝的磷源為紅磷或磷烷,注入劑量為1.0×1014atoms/cm2~6.0×1015atoms/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述離子注入工藝的硼源為硼烷,注入劑量為1.0×1014atoms/cm2~5.0×1015atoms/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述RCA清洗工藝通過(guò)HCl(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~2%)及H2O2(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~2%)的混合溶液進(jìn)行清洗120~360s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述擴(kuò)散摻雜工藝的硼源氣體為BBr3源氣體,硼擴(kuò)散溫度為880-980℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太陽(yáng)能電池制作的摻雜方法,其特征在于:所述擴(kuò)散摻雜工藝的磷源氣體為POCl3氣體,磷擴(kuò)散溫度為830-870℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





