[發(fā)明專利]一種大功率發(fā)光二極管及其制作方法

在審

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• 申請日: 2019-07-17
• 公開（公告）號: CN110289342A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林志偉;陳凱軒;卓祥景;曲曉東;蔡建九
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大功率發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括在所述襯底表面依次堆疊的緩沖層、非故意摻雜層、超晶格導(dǎo)電層、第一型導(dǎo)電層、有源層和第二型導(dǎo)電層；所述超晶格導(dǎo)電層包括n個堆疊設(shè)置的周期單元，周期排列順序從所述襯底開始由下往上依次增加；各所述周期單元包括依次堆疊的第一超晶格層、第一超晶格隔離層、第二超晶格層；外延結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域蝕刻至一定厚度的第一型導(dǎo)電層，形成臺面，所述臺面的側(cè)壁沉積有電極隔離層；

第一電極，所述第一電極包括第一焊盤和至少一個第一擴展電極；所述第一焊盤層疊于所述臺面；各所述第一擴展電極分別嵌入所述超晶格導(dǎo)電層的最后一周期單元內(nèi)與第一超晶格層形成歐姆接觸，并往上延伸至臺面與所述第一焊盤形成歐姆接觸；

第二電極，位于所述第二型導(dǎo)電層的上表面，包括第二焊盤和至少一個第二擴展電極；各所述第二擴展電極分別與所述第二焊盤形成歐姆連接，并遠(yuǎn)離各所述第一擴展電極設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，各所述周期單元包括依次堆疊的第二超晶格隔離層、第一超晶格層、第一超晶格隔離層、第二超晶格層，所述第二超晶格隔離層和所述第一超晶格隔離層的材料體系及厚度均相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格層包括摻雜型材料層，所述第二超晶格層包括非摻雜型材料層，所述第一超晶格隔離層包括高摻型材料層，所述第一超晶格隔離層分別與第一超晶格層、第二超晶格層的接觸面形成δ摻雜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格層包括摻雜型材料層，所述第二超晶格層包括非摻雜型材料層，所述第一超晶格隔離層和所述第二超晶格隔離層包括高摻型材料層，所述第一超晶格隔離層、第二超晶格隔離層分別與第一超晶格層、第二超晶格層的接觸面形成δ摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格層和第二超晶格層包括GaN層，所述第一超晶格隔離層和第二超晶格隔離層包括AlGaN層或InGaN層或AlInGaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格層和第二超晶格層的厚度相同，且厚度均小于20nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格隔離層和第二超晶格隔離層的厚度為D1，所述第一超晶格層和第二超晶格層的厚度為D2，D1≤0.5*D2。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格隔離層、第二超晶格隔離層的厚度均小于5nm。