[發明專利]存儲器件、電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器和方法

有效

• 申請號: 201910637077.2
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN110729012B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 賴建安;鄒宗成;池育德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

存儲器件包括電阻式存儲單元陣列，其中，多條字線連接至電阻式存儲單元陣列。電壓補償控制器被配置為確定要施加到多條字線的所選字線的字線電壓。字線驅動器被配置為將確定的字線電壓施加到所選字線。本申請的實施例還涉及電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器和方法。

技術領域

本發明的實施例涉及存儲器件、電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器和方法。

背景技術

集成電路(IC)存儲器件包括電阻式存儲器，諸如電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、相變隨機存取存儲器(PCRAM)等。例如，RRAM是包括RRAM單元陣列的存儲器結構，每個RRAM單元使用電阻值而不是電荷來存儲數據位。特別地，每個RRAM單元包括電阻材料層，其電阻可以調整為表示邏輯“0”或邏輯“1”。

發明內容

本發明的實施例提供了一種存儲器件，包括：

電阻式存儲單元陣列；

多條字線，連接至所述電阻式存儲單元陣列；

電壓補償控制器，被配置為確定要施加到所述多條字線的所選字線的字線電壓；以及

字線驅動器，被配置為將確定的字線電壓施加到所述所選字線。

本發明的另一實施例提供了一種用于電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器，包括：

輸入端子，被配置為接收對應于電阻式存儲單元陣列的字線的字線地址；

位置補償模塊，被配置為基于所述字線地址相對于所述電阻式存儲單元陣列的I/O控制塊的位置來選擇預定數量的字線電壓中的一個字線電壓；

溫度補償模塊，被配置為確定所述電阻式存儲單元陣列的第一溫度下的最小字線電壓和所述電阻式存儲單元陣列的高于所述第一溫度的第二溫度下的最大字線電壓；

輸出端子，被配置為基于所述位置補償模塊和所述溫度補償模塊的輸出來輸出字線電壓。

本發明的又一實施例提供了一種電壓補償的方法，包括：

提供電阻式存儲單元陣列，

提供連接至所述電阻式存儲單元陣列的多條字線；

接收字線地址；

確定字線電壓，確定所述字線電壓包括從多個預定電壓電平中選擇字線電壓；

將所選字線電壓施加到所述電阻式存儲單元陣列的多條字線中的所選字線。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。此外，附圖示出為本發明的實施例的示例并且不旨在限制。

圖1是總體示出根據一些實施例的可操作地耦合到電阻式存儲單元陣列的示例性電壓補償控制器的框圖。

圖2是總體示出根據一些實施例的可操作地耦合到電阻式存儲單元陣列的另一示例性電壓補償控制器的框圖。

圖3是總體示出根據一些實施例的可操作地耦合到電阻式存儲單元陣列的另一示例性電壓補償控制器的框圖。

圖4是總體示出根據一些實施例的可操作地耦合到電阻式存儲單元陣列的另一示例性電壓補償控制器的框圖。

圖5是示出根據一些實施例的用于電阻式存儲器件的示例性位置補償方案的電路圖。

圖6A是示出根據一些實施例的示例性字線電壓發生器電路的電路圖。

圖6B是對應于圖6A的電壓發生器電路的地址表的實例。