[發(fā)明專利]一種紫外-可見雙波段光電探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910635101.9
• 申請(qǐng)日: 2019-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN110459627B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊喆;李成;張雄;崔一平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0304
• 分類號(hào): H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/11
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 許小莉

1.一種紫外-可見雙波段光電探測(cè)器，其特征在于：包括由下至上設(shè)置的襯底(101)、低溫AlN成核層(102)、高溫AlN緩沖層(103)、n型Al_x1Ga_1-x1N緩沖層(104)、n型Al_x2Ga_1-x2N層(105)、i型Al_x3Ga_1-x3N吸收層(106)、Al_x4Ga_1-x4N組分漸變倍增層(107)、p型Al_x5Ga_1-x5N層(108)、Al_x6Ga_1-x6N組分漸變層(109)、n型Al_x7Ga_1-x7N層(110)、n型GaN層(111)、In_y1Ga_1-y1N倍增層(112)、i型In_y2Ga_1-y2N吸收層(113)、p型In_y3Ga_1-y3N層(114)、p型GaN層(115)、在p型GaN層(115)上設(shè)置的p型歐姆電極(116)、在n型AlGaN層(105)上設(shè)置的n型歐姆電極(117)、在n型GaN層(111)上設(shè)置n型歐姆電極(118)；其中x1為n型Al_x1Ga_1-x1N緩沖層(104)中Al組分，x2為n型Al_x2Ga_1-x2N層(105)中Al組分，x3為i型Al_x3Ga_1-x3N吸收層(106)中Al組分，x4為Al_x4Ga_1-x4N組分漸變倍增層(107)中Al組分，x5為p型Al_x5Ga_1-x5N層(108)中Al組分，x6為Al_x6Ga_1-x6N組分漸變層(109)中Al組分，x7為n型Al_x7Ga_1-x7N層(110)中Al組分，y1為In_y1Ga_1-y1N倍增層(112)中In組分，y2為i型In_y2Ga_1-y2N吸收層(113)中In組分，y3為p型In_y3Ga_1-y3N層(114)中In組分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外-可見雙波段光電探測(cè)器，其特征在于：所述襯底為藍(lán)寶石襯底(101)，且為雙面拋光的C面晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外-可見雙波段光電探測(cè)器，其特征在于：所述低溫AlN成核層(102)的厚度為10-20nm，高溫AlN層(103)的厚度為100-300nm，n型AlGaN緩沖層(104)的厚度為50-500nm，n型AlGaN層(105)的厚度為200-500nm，非摻雜i型Al_x3Ga_1-x3N吸收層(106)的厚度為100～300nm，非摻雜Al_x4Ga_1-x4N倍增層(107)的厚度為100-250nm，p型Al_x5Ga_1-x5N層(108)的厚度為50-500nm，Al_x6Ga_1-x6N組分漸變層(109)的厚度為50-500nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外-可見雙波段光電探測(cè)器，其特征在于：n型Al_x7Ga_1-x7N層(110)的厚度為50-200nm，n型GaN層(111)的厚度為50-200nm，非摻雜In_y1Ga_1-y1N倍增層(112)的厚度為50～250nm，i型In_y2Ga_1-y2N吸收層(113)厚度為50-100nm，p型InGaN層(114)的厚度為50-100nm，p型GaN層(115)的厚度為50-500nm。