[發(fā)明專利]一種MOS控制晶閘管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910629038.8
• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN110379853B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張波;周琪鈞;陳萬軍;劉超;肖紫嫣;譙彬
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種MOS控制晶閘管，包括自底向上依次層疊設(shè)置的陽極(6)、P型陽極區(qū)(5)、N型漂移區(qū)(4)；在N型漂移區(qū)(4)上層具有P型基區(qū)(3)，P型基區(qū)(3)上層具有N型源區(qū)(1)；在器件上表面一端具有柵氧化層(9)，柵氧化層(9)的下表面與N型漂移區(qū)(4)、P型基區(qū)(3)和N型源區(qū)(1)接觸，柵氧化層(9)上表面具有柵電極(8)；在與器件上表面另一端具有陰極(7)，陰極(7)下表面與N型源區(qū)(1)接觸；在柵電極(8)與陰極(7)之間的N型源區(qū)(1)上層還具有P型源區(qū)(10)，且P型源區(qū)(10)的上表面分別與柵氧化層(9)和陰極(7)接觸；其特征在于，沿器件縱向方向，在P型源區(qū)(10)位于柵氧化層(9)下表面的部分中，具有多個呈間斷分布的貫穿P型源區(qū)(10)并與P型基區(qū)(3)接觸的P型半導(dǎo)體區(qū)(2)，所述器件縱向方向?yàn)橥瑫r垂直于器件水平方向和垂直方向的第三維方向。