[發明專利]高效率氧化型垂直共振腔面發射激光器及其制造方法在審
| 申請號： | 201910603114.8 | 申請日： | 2019-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN110854676A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發明（設計）人： | 李亨株 | 申請（專利權）人： | 光電子株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 安玉;蔣洪之 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高效率 氧化 垂直 共振 發射 激光器 及其 制造 方法 | ||
1.一種氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，上部電極和上部分布式布拉格反射器之間具有導電性電流擴散層，所述導電性電流擴散層使具有860±10nm的峰值波長的激光透射。
2.根據權利要求1所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述導電性電流擴散層為非氧化性阻擋層。
3.根據權利要求2所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述非氧化性阻擋層為無鋁層。
4.根據權利要求1所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述電流擴散層為GaP層。
5.根據權利要求1所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述GaP層包含金屬和/或非金屬摻雜物。
6.根據權利要求5所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述摻雜物為選自鎂、鋅、碳中的一種以上。
7.根據權利要求5所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述GaP層具有1μm以上的厚度。
8.根據權利要求1所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述垂直共振腔面發射激光器包含下部電極、基板、下部分布式布拉格反射器、活性層、上部分布式布拉格反射器、上部電極及氧化層。
9.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述活性層由GaAs量子阱和AlGaAs量子阻擋層組成。
10.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述GaP層的厚度為3μm。
11.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述氧化層位于上部p-DBR的層之間。
12.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述氧化型垂直共振腔面發射激光器在10～40mA的電流下工作。
13.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述上部電極為選自氧化銦錫(ITO)、ZnO或AZO中的透明電極。
14.根據權利要求8所述的氧化型垂直共振腔面發射激光器，其特征在于，所述氧化型垂直共振腔面發射激光器的電流擴散層上還包含防反射層。
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