[發明專利]一種Micro LED陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201910588778.1
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN110311029B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 江方
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/36;H01L23/544;H01L25/075
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 潘穎

本發明公開了一種Micro LED陣列基板及其制作方法，其中，通過Micro LED基材的對位凸起電極和對位凹陷電極，及電路承載基板的限位凹陷電極和限位凸起電極實現Micro LED基材和電路承載基板之間的對位，進而無需在Micro LED基材和電路承載基板上設置對位標識點，保證Micro LED基材和電路承載基板的空間利用率高；同時，將電極結構均設置在線路板和發光結構陣列之間，使得發光結構陣列背離電路承載基板一側無電極遮擋出光，進而保證Micro LED陣列基板的出光亮度高。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，更為具體地說，涉及一種Micro LED 陣列基板及其制作方法。

背景技術

Micro LED(微型發光二極管)是將LED結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在1μm～10μm等級左右。由于具有良好的穩定性及壽命，以及低功耗、色彩飽和度高、對比度強、反應速度快等優勢，被廣泛的應用在顯示領域。限制Micro LED顯示技術發展的瓶頸主要包括巨量轉移技術，巨量轉移技術即如何將大量微小尺度的Micro LED轉移到大尺寸的轉移板上，是Micro-LED產品量產化的重要技術，其是目前研發人員主要研究方向。

現今在將Micro LED轉移到大尺寸的轉移板時，需要考慮Micro LED和轉移板之間的對位關系，故而要在承載Micro LED的基板和轉移板上設置大量的對位標識點，使得Micro LED的基板和轉移板的空間利用率降低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種Micro LED陣列基板及其制作方法，有效解決現有技術存在的問題。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種Micro LED陣列基板的制作方法，包括：

提供Micro LED基材和電路承載基板，其中，所述Micro LED基材包括襯底、位于所述襯底上相互隔離的發光結構陣列及位于所述發光結構陣列背離所述襯底一側的多個對位電極，所述對位電極包括對位凸起電極和對位凹陷電極；以及，所述電路承載基板包括線路板及位于所述線路板上的多個限位電極，所述限位電極包括限位凹陷電極和限位凸起電極，所述限位凹陷電極與所述對位凸起電極相匹配，及所述限位凸起電極與所述對位凹陷電極相匹配；

通過相匹配的所述對位凸起電極和所述限位凹陷電極、及相匹配的所述對位凹陷電極和所述限位凸起電極，將所述Micro LED基材和電路承載基板對位并鍵合；

去除所述襯底。

相應的，本發明還提供了一種Micro LED陣列基板，包括：

電路承載基板，所述電路承載基板包括線路板及位于所述線路板上的多個限位電極，所述限位電極包括限位凹陷電極和限位凸起電極；

以及，位于所述電路承載基板上的Micro LED陣列，所述Micro LED陣列板包括相互隔離的發光結構陣列及位于所述發光結構陣列朝向所述電路承載基板一側的多個對位電極，所述對位電極包括對位凸起電極和對位凹陷電極；其中，所述限位凹陷電極與所述對位凸起電極相匹配且鍵合，及所述限位凸起電極與所述對位凹陷電極相匹配且鍵合。

相較于現有技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點：

本發明提供了一種Micro LED陣列基板及其制作方法，其中，通過Micro LED基材的對位凸起電極和對位凹陷電極，及電路承載基板的限位凹陷電極和限位凸起電極實現Micro LED基材和電路承載基板之間的對位，進而無需在Micro LED基材和電路承載基板上設置對位標識點，保證Micro LED基材和電路承載基板的空間利用率高；同時，將電極結構均設置在線路板和發光結構陣列之間，使得發光結構陣列背離電路承載基板一側無電極遮擋出光，進而保證Micro LED陣列基板的出光亮度高。

附圖說明