[發(fā)明專利]一種低溫共燒陶瓷材料及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910587024.4 | 申請日: | 2019-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN110229002B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 竇占明;張二甜;應(yīng)建;陳群星;葉萍;杜玉龍;班秀峰;張秀;王學(xué)杰;褚濤 | 申請(專利權(quán))人: | 貴州振華電子信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究有限公司;中國振華集團云科電子有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B35/46;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 覃蛟 |
| 地址: | 550000 貴州省貴陽市貴陽國家高*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 陶瓷材料 制備 方法 | ||
1.一種低溫共燒陶瓷材料,其特征在于,其僅含以下質(zhì)量分數(shù)的原料:97.4%-99.2%的氧化鋅-二氧化鈦,0.07%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化銅和0.05%-2%的五氧化二釩,且各原料的質(zhì)量分數(shù)相加的總和為100%;所述氧化鋅-二氧化鈦中原材料氧化鋅與二氧化鈦摩爾比為0.82-1.22:1,所述鈣硼硅玻璃中原材料氧化鈣、三氧化二硼與二氧化硅摩爾比為:35-50:18-35:15-47。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷材料,其特征在于,所述低溫共燒陶瓷材料的燒結(jié)溫度為830-930℃,保溫時間為20-40min,介電常數(shù)為25≤ εr ≤32 @8GHz,介電損耗tanδ為(8-10)×10-4 @8GHz。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫共燒陶瓷材料,其特征在于,所述低溫共燒陶瓷材料的燒結(jié)溫度為880℃,低溫共燒陶瓷材料的保溫時間為25min,介電常數(shù)為25。
4.一種如權(quán)利要求1-3任一項所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,包括:在氧化鋅-二氧化鈦中加入如下原料:鈣硼硅玻璃,氧化銅和五氧化二釩,所述低溫共燒陶瓷材料僅含以下質(zhì)量分數(shù)的原料:97.4%-99.2%的氧化鋅-二氧化鈦,0.07%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化銅和0.05%-2%的五氧化二釩,且各原料的質(zhì)量分數(shù)相加的總和為100%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,制備方法包括將氧化鋅、二氧化鈦的原始粉末按氧化鋅:二氧化鈦為 0.82- 1.22:1的摩爾比進行配料;按配料:球:去離子水質(zhì)量比為1:1.5:2進行混合球磨,在840-920℃下煅燒3-5小時制得主晶相,在主晶相中加入如下質(zhì)量分數(shù)的原料制得混合物料:0%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5 %-2.5%的氧化銅和0.05%-2%的五氧化二釩,球磨粉碎后的粒度為0.8μm-2μm,通過流延成型制備生瓷帶。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,還包括鈣硼硅玻璃的制備,具體包括如下步驟:將氧化鈣、三氧化二硼、二氧化硅按摩爾比為35-50:18-35:15-47制備鈣硼硅玻璃配料,將鈣硼硅玻璃配料:球:去離子水按質(zhì)量比1:3:2混合,球磨6-8小時后過篩網(wǎng)并干燥,再粉碎均勻,然后在1300-1400℃熔融玻璃,將制備的玻璃渣再破碎球磨成粉。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,還包括在球磨前將所述混合物料:去離子水:球按質(zhì)量比為1:1.5:3混合,球磨時間為4-8小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,還包括將生瓷帶在840-930℃燒結(jié)20-40min,制得低溫共燒陶瓷材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低溫共燒陶瓷材料的制備方法,其特征在于,還包括采用ZNB40網(wǎng)絡(luò)分析儀和自制波導(dǎo)腔測試低溫共燒陶瓷材料的介電性能。
10.一種微波產(chǎn)品,其特征在于,使用如權(quán)利要求1-3任一項所述的低溫共燒陶瓷材料作為基板進行仿真設(shè)計,通過LTCC加工平臺進行產(chǎn)品制備,最終制備成微波產(chǎn)品。
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