[發明專利]電子設備

有效

• 申請號: 201910584876.8
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110858499B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 洪錫滿;金明燮;金泰勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C11/22;G11C11/56;G11C15/02
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

一種包括半導體存儲器的電子設備，其中半導體存儲器包括寫入電路以及存儲單元陣列，該寫入電路適用于：基于寫入命令信號、寫入數據信號和延時信息信號，在與比寫入延時短的預寫入延時相對應的第一時間點產生第一寫入電流，并且在與寫入延時相對應的第二時間點產生第二寫入電流，該存儲單元陣列適用于：基于第一寫入電流和第二寫入電流來儲存與寫入數據信號相對應的數據值。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月24日提交的名稱為“ELECTRONIC?DEVICE”的第10-2018-0099210號韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本專利文件涉及存儲電路、存儲器件以及它們在電子設備或系統中的應用。

背景技術

近來，隨著電子裝置趨向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，需要能夠在諸如計算機、便攜式通信設備等各種電子裝置中儲存信息的半導體器件。這種半導體器件包括具有可變電阻特性的半導體器件，即，可以通過根據所施加的電壓或電流而在不同電阻狀態之間切換來儲存數據的半導體器件。例如，這種半導體器件包括：RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、MRAM(磁性隨機存取存儲器)、電熔絲等。

發明內容

該專利文獻中所公開的技術包括存儲電路和存儲器件以及它們在電子設備和系統中的應用。所公開的技術還包括電子設備的各種實施方式，所述電子設備在寫入模式(例如，設置編程操作)期間控制存儲單元以具有較低的電阻值。

在一種實施方式中，提供了一種包括半導體存儲器的電子設備。半導體存儲器可以包括：寫入電路，其適用于：基于寫入命令信號、寫入數據信號和延時信息信號(latencyinformation?signal)，在與比寫入延時短的預寫入延時相對應的第一時間點產生第一寫入電流，并且在與寫入延時相對應的第二時間點產生第二寫入電流；以及存儲單元陣列，其適用于：基于第一寫入電流和第二寫入電流來儲存與寫入數據信號相對應的數據值。

寫入電路可以包括：第一寫入控制塊，其適用于：基于寫入命令信號和延時信息信號來產生預設使能信號；第二寫入控制塊，其適用于：基于寫入數據信號來產生設置使能信號(set?enable?signal)和重置使能信號(reset?enable?signal)；以及寫入電流發生塊，其適用于基于預設使能信號、設置使能信號和重置使能信號來產生第一寫入電流和第二寫入電流。寫入電流發生塊可以包括：第一電流源，其適用于：響應于預設使能信號來產生預設電流；第二電流源，其適用于響應于設置使能信號來產生設置電流；第三電流源，其適用于：響應于重置使能信號來產生重置電流；以及電流鏡，其適用于通過將預設電流鏡像來產生第一寫入電流并且通過將設置電流和重置電流之一鏡像來產生第二寫入電流。可以在第一時間段期間產生第一寫入電流，并且可以在第二時間段期間產生第二寫入電流，以及其中，第一時間段短于第二時間段，并且第二時間段在第一時間段之后。第一寫入電流的幅值可以與第二寫入電流的幅值相同或不同。

電子設備還可以包括微處理器，所述微處理器包括：控制單元，其被配置為接收包含來自微處理器的外部的命令的信號，并提取或解碼命令，或者執行微處理器的信號輸入/輸出控制；操作單元，其被配置為根據由控制單元對命令進行解碼的結果來執行操作；以及存儲單元，其被配置為儲存用于執行操作的第一數據、與操作結果相對應的第二數據或者用于執行操作的第一數據的地址，其中，半導體存儲器是微處理器中的存儲單元的部件。

電子設備還可包括處理器，所述處理器包括：核心單元，其被配置為根據命令而使用第一數據執行與從處理器的外部輸入的命令相對應的操作；高速緩沖存儲單元，其被配置為儲存用于執行操作的第一數據、與操作結果相對應的第二數據或用于執行操作的數據的地址；以及總線接口，其耦接在核心單元與高速緩沖存儲單元之間，并且被配置為在核心單元與高速緩沖存儲單元之間傳輸第三數據，其中，半導體存儲器可以是處理器中的高速緩沖存儲單元的部件。