[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201910584739.4
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN111725307A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 巖鍜治陽子;末代知子;諏訪剛史
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/167;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種半導體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第1柵極電極；

第2柵極電極；以及

半導體層，具有第1面及與上述第1面對置的第2面，在上述第1面側設置有上述第1電極及上述第1柵極電極，在上述第2面側設置有上述第2電極及上述第2柵極電極，

該半導體層具有：

第1導電型的第1半導體區域，具有：第1部分；第2部分，設置于上述第1部分與上述第1面之間，與上述第1部分相比，載流子濃度高；及第3部分，設置于上述第2部分與上述第1面之間，與上述第2部分相比，載流子濃度低；

第2導電型的第2半導體區域，設置于上述第1半導體區域與上述第1面之間，一部分與上述第1柵極電極對置；

第1導電型的第3半導體區域，設置于上述第2半導體區域與上述第1面之間，一部分與上述第1柵極電極對置，一部分與上述第1電極接觸；

第2導電型的第4半導體區域，設置于上述第1半導體區域與上述第2面之間，一部分與上述第2柵極電極對置，一部分與上述第2電極接觸；以及

第1導電型的第5半導體區域，設置于上述第4半導體區域與上述第2面之間，一部分與上述第2柵極電極對置，一部分與上述第2電極接觸。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，

在將上述第1面的法線的方向定義為第1方向、將從上述第2半導體區域到上述第4半導體區域為止的上述第1方向的距離定義為第1距離、并將從上述第2半導體區域到上述第2部分的載流子濃度分布的第1峰值為止的上述第1方向的距離定義為第2距離的情況下，上述第2距離比上述第1距離的四分之一大，上述第2距離比上述第1距離的四分之三小。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，

上述第1峰值的載流子濃度，是上述第1部分的載流子濃度及上述第3部分的載流子濃度的10倍以上。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，

上述第1峰值的載流子濃度是1×10¹⁴cm^－3以上1×10¹⁵cm^－3以下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，

上述第2部分的載流子濃度分布的半峰全寬是5μm以上20μm以下。

6.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，

上述第1半導體區域具有：第4部分，設置于上述第1部分與上述第2面之間，與上述第1部分相比，載流子濃度高；及第5部分，設置于上述第4部分與上述第2面之間，與上述第4部分相比，載流子濃度低。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，

上述半導體層具有：

第1導電型的第6半導體區域，設置于上述第1半導體區域與上述第4半導體區域之間，與上述第1半導體區域相比，載流子濃度高。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，

上述第6半導體區域的載流子濃度分布的第2峰值的載流子濃度，是上述第2部分的載流子濃度分布的第1峰值的載流子濃度的10倍以上。

9.如權利要求7或8所述的半導體裝置，

上述第2部分的載流子濃度分布的半峰全寬，比上述第6半導體區域的載流子濃度分布的半峰全寬大。

10.如權利要求2所述的半導體裝置，

上述第2距離比上述第1距離的二分之一小。