[發(fā)明專利]一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910576027.8
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN110176879B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓方;楊曉萍;王俊峰;王云
• 申請（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H02P6/08
• 分類號(hào): H02P6/08
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 安彥彥

1.一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括電平轉(zhuǎn)換單元和驅(qū)動(dòng)單元；

所述的電平轉(zhuǎn)換單元包括電阻R1、電阻R2、N溝道VDMOS T1和雙極NPN晶體管Q1；

所述的驅(qū)動(dòng)單元包括二極管D1、電容C1、穩(wěn)壓管D2、電阻R3和驅(qū)動(dòng)芯片；

輸入信號(hào)V_IN經(jīng)電阻R1分別與N溝道VDMOS T1的柵極和雙極NPN晶體管Q1的集電極相連；N溝道VDMOS T1的源極和雙極NPN晶體管Q1的基極與電阻R2的一端相連，電阻R2另一端和雙極NPN晶體管Q1的發(fā)射極連接地；N溝道VDMOS T1的漏極連接驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端；

電源電壓V_DD連接二極管D1的陽極，二極管D1的陰極連接電容C1的一端、電阻R3的一端及驅(qū)動(dòng)芯片的V_DD端；電容C1的另一端連接穩(wěn)壓管D2的陽極且與驅(qū)動(dòng)芯片的V_SS連接至輸出V_S，電阻R3的另一端連接穩(wěn)壓管D2的陰極且連接驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端；驅(qū)動(dòng)芯片的輸出為高壓驅(qū)動(dòng)電路的輸出H_O。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的驅(qū)動(dòng)芯片為抗輻照MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述N溝道VDMOS T1采用抗輻照器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，采用雙極NPN晶體管代替N溝道VDMOS T1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容C1的容值為1μF～47μF。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻照高壓驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電阻R2的值通過式R₂＝V_BE/I₁確定，其中V_BE為NPN雙極晶體管Q1的基極-發(fā)射極結(jié)壓降，I₁為漏電流值設(shè)計(jì)值。