[發明專利]基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法有效
| 申請號： | 201910573669.2 | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110303385B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 田野;宋辭;周港;石峰;彭小強 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B55/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 譚武藝 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 拋光 環境 調控 單晶硅 無損 方法 | ||
1.一種基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于實施步驟包括：
1）將單晶硅工件完全淹沒放置在容器中的拋光液中并進行CCOS拋光加工，且在加工過程中檢測并控制拋光液pH值；在拋光完成后使用無磨料清水拋光過程將表面氧化層均勻的去除；
2）將單晶硅工件清洗去除大尺寸顆粒殘留；
3）采用離子束刻蝕工藝去除單晶硅工件表面的微小顆粒殘留。
2.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）中的拋光液為納米二氧化硅膠體拋光液。
3.根據權利要求2所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，所述納米二氧化硅膠體拋光液中納米二氧化硅的粒徑為50nm。
4.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）中控制拋光液pH值具體是指滴入弱堿性碳酸氫鈉pH調節劑調節拋光液pH值。
5.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）中在加工過程中檢測并控制拋光液pH值時，pH值被控制在大于10.5且小于11.5的范圍內。
6.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）中進行CCOS拋光加工具體是指使用阻尼布拋光盤進行拋光。
7.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）之前還包括控制加工環境溫度為25.1℃的步驟。
8.根據權利要求7所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟1）中進行CCOS拋光加工時還包括控制拋光盤溫度穩定在25.2℃的步驟。
9.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟2）中清洗去除大尺寸顆粒殘留具體是指采用清水清洗去除大尺寸顆粒殘留。
10.根據權利要求1所述的基于液相拋光環境調控的單晶硅無損拋光方法，其特征在于，步驟3）中采用離子束刻蝕工藝去除單晶硅工件表面的微小顆粒殘留時，離子刻蝕工藝中離子能量為600eV。
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