[發明專利]用于處理物體的設備、減少物體上的污染物的方法及系統有效
| 申請號: | 201910572520.2 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110660705B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 林重佑;郭仕奇;莫竣傑 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 物體 設備 減少 污染物 方法 系統 | ||
一種用于處理物體的設備、減少物體上的污染物的方法及系統。本揭示案描述用于處理一或多個物體的設備。設備包括:載體,配置以保持一或多個物體;水槽,裝滿處理劑且配置以接收載體;及自旋部分,配置以接觸一或多個物體且自旋一或多個物體以擾動處理劑的流場。
技術領域
本揭示案是有關一種用于處理物體的設備、一種減少物體上的污染物的方法及一種減少物體上的污染物的系統。
背景技術
濕式清洗臺廣泛使用在用于材料的化學處理及蝕刻的半導體制造中。濕式清洗臺可具有水槽(例如,濕式清洗臺水槽),水槽含有用于各種目的的處理劑(例如,流體)。例如,濕式清洗臺可包含用于蝕刻材料的酸、用于將光阻劑從表面剝離的光阻劑剝離劑、及/或用于清洗晶圓/元件的清洗溶液。晶圓可置于濕式清洗臺中且浸沒在處理劑中。晶圓載體(例如,載運晶圓的結構)可為水槽的部分或可置于水槽中以將一批待處理(例如,清洗或蝕刻)的晶圓浸沒于處理劑中。處理劑在水槽中循環且可用于處理多批晶圓。
發明內容
本揭示案提供一種用于處理一或多個物體的設備,包括載體、水槽與自旋部分。載體配置以保持物體。水槽包括處理劑且配置以接收載體。自旋部分配置以接觸物體及自旋物體以擾動該處理劑的流場。
本揭示案提供一種減少一或多個物體上的污染物的方法,包括在載體中固定物體;將載體浸沒于處理劑中;自旋載體中的物體以形成不同于處理劑的流場路徑的流動路徑;及沖洗物體。
本揭示案提供一種減少一或多個物體上的污染物的系統,包括制程工具、控制裝置與通信裝置。制程工具包括載體、水槽與自旋部分。載體配置以保持物體。水槽包括處理劑且配置以接收載體。自旋裝置配置以基于控制信號自旋物體。控制裝置配置以決定自旋裝置的控制信號,其中控制信號包括自旋裝置的自旋速度。通信裝置配置以將控制信號從控制裝置傳輸至自旋裝置。
附圖說明
當結合附圖閱讀時,根據以下詳細描述可最佳地理解本揭示案的態樣。應注意,根據工業常規實踐,各種特征未按比例繪制。事實上,為圖解及論述的清楚,各特征的尺寸可任意地增加或縮小。
圖1A根據本揭示案的一些實施例繪示濕式清洗臺水槽的剖視圖;
圖1B繪示圖1A的濕式清洗臺水槽的側視圖;
圖2A至圖2E繪示根據本揭示案的一些實施例的濕式清洗臺結構的剖視圖;
圖3A及圖3B各自繪示根據本揭示案的一些實施例的另一濕式清洗臺結構的側視圖;
圖4繪示根據本揭示案的一些實施例的使用濕式清洗臺結構清洗晶圓的處理流程;
圖5繪示根據本揭示案的一些實施例的控制系統;
圖6繪示根據一些實施例的用于實施本揭示案的各種實施例的計算機系統。
【符號說明】
100 清洗臺水槽(或水槽)沿x-z平面的剖視圖
101 基座
102 晶圓
103 載體
104 把手
104-1 提升裝置
104-2 提升裝置
104-3 提升裝置
105-1 入口
105-2 入口
106 水槽
107 處理劑
108 流場路徑
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





