[發明專利]柔性基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201910556319.5 | 申請日: | 2019-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN110137239B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 隋凱;薛金祥;孫中元;王小芬;靳倩;董超 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 李欣 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種柔性基板,其特征在于,包括:柔性襯底,所述柔性襯底陣列分布有多個顯示區,其中,所述顯示區用于設置像素結構;
每相鄰兩個顯示區之間連接有橋;
所述橋包括依次設置的緩沖層、第一有機層、布線層、第二有機層和無機層,其中,所述布線層中具有導線;
在所述導線的至少部分長度內,沿所述導線延伸的方向,所述導線包括交替設置的金屬段和彈性導體段;
所述金屬段的端部延伸至所述彈性導體段內。
2.根據權利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述橋包括彎曲部和直線延伸部,其中,所述彎曲部內的導線包括交替設置的金屬段和彈性導體段,所述直線延伸部內的導線由連續的金屬線構成。
3.根據權利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述彈性導體段的橫截面積大于所述金屬段的橫截面積。
4.根據權利要求3所述的柔性基板,其特征在于,所述彈性導體段的橫截面積是所述金屬段的橫截面積3.5~4.5倍。
5.根據權利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述彈性導體段包括有機導電體和分布于所述有機導電體內的導電粒子。
6.根據權利要求5所述的柔性基板,其特征在于,所述有機導電體包括導電橡膠和導電樹脂中的至少一種;
所述導電粒子包括銀納米顆粒、金納米顆粒、銀納米線、Ir-Sn納米線、Ir-Ag納米管、Pt-Sn納米線和鋅納米線中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的柔性基板,其特征在于,沿所述導線的延伸方向,所述金屬段的尺寸與所述彈性導體段的尺寸比值范圍為0.9~1.5。
8.根據權利要求1所述的柔性基板,其特征在于,沿所述導線的延伸方向,所述金屬段的尺寸范圍為1.0~6.0um,所述彈性導體段的尺寸范圍為1.0~6.0um;
沿與所述導線的延伸方向垂直的方向,且與所述第一有機層和第二有機層的排列方向垂直的方向,所述金屬段的尺寸范圍為1.0~6.0um,所述彈性導體段的尺寸為2.4~4um;
沿所述第一有機層和第二有機層的排列方向,所述金屬段的尺寸范圍為300~1200nm,所述彈性導體段的尺寸范圍為1.2~2.4um。
9.一種柔性基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供柔性襯底,所述柔性襯底包括多個陣列分布的顯示區;
每相鄰兩個顯示區之間連接有橋區;
在所述橋區對應的柔性襯底上依次形成緩沖層和第一有機層;
在所述第一有機層上形成多組金屬段,其中,每組所述金屬段包括多個沿所述橋區的延伸方向間隔分布的金屬段;
在所述第一有機層上形成第一子有機層,其中,所述第一子有機層覆蓋各組所述金屬段;
在每組金屬段中,去除每相鄰兩個金屬段之間的第一子有機層,以形成第一凹槽;形成所述第一凹槽時,對所述第一有機層進行過刻,以在所述金屬段的橋區延伸方向上的兩端形成底切結構;
在所述第一凹槽中形成彈性導體段,以連接相鄰的兩個金屬段;
在第一子有機層表面形成第二子有機層,第二子有機層覆蓋彈性導體段,第一子有機層和第二子有機層形成第二有機層;
在所述第二子有機層表面形成無機層。
10.根據權利要求9所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,沿所述橋區的延伸方向,所述第一凹槽的尺寸范圍為1.0~6.0um;
沿與所述橋區的延伸方向垂直的方向,且與所述第一有機層和第二有機層的排列方向垂直的方向,所述第一凹槽的尺寸為2.4~4um;
沿所述第一有機層和第二有機層的排列方向,所述第一凹槽的尺寸范圍為1.2~2.4um。
11.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-8任一項所述的柔性基板。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求11所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





