[發明專利]一種處理陰極薄膜提高場發射性能的工藝

有效

• 申請號: 201910554067.2
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110335795B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 歐陽威;吳翰;易春蓉;杜小霞
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02
• 代理公司: 上海藍迪專利商標事務所(普通合伙) 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種處理陰極薄膜提高場發射性能的工藝，其特征在于，該工藝具體包括以下步驟：

步驟1：膠帶處理

(1)膠帶的預處理

將選好的膠帶撕開2～10cm，在表面干凈平整的物體或在膠帶自身上將其反復地粘10～500次，通過改變膠帶預處理的次數，改變膠帶的粘附力；

(2)陰極薄膜的膠帶粘撕處理

將處理好的膠帶均勻平整地貼到場發射陰極薄膜上，放置50～1000g重的砝碼，使膠帶均勻、平整地覆蓋住場發射陰極薄膜，再揭下；其中，所述陰極薄膜包括但不限于碳納米管、石墨烯、碳化硅、氧化鋅低維納米材料或其復合物；

步驟2：測試陰極薄膜的場發射性能

將膠帶處理后的場發射陰極薄膜組裝成場發射器件，置于真空系統中測試場發射性能，連接電路，記錄電流和電壓值，計算電流密度和電場強度；結果表明，場發射陰極器件的開啟電場從未進行膠帶處理時的2.39V/μm降至1.51～2.06V/μm，閾值電場由未進行膠帶處理時的3.13V/μm降至1.71～2.59V/μm。

2.如權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述表面干凈平整的物體為玻璃、塑料、不銹鋼板或銅箔。

3.如權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述膠帶為PI、PET或PVA膠帶。