[發明專利]顯示面板和包括顯示面板的顯示裝置在審
| 申請號: | 201910552826.1 | 申請日: | 2019-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN110660826A | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發明(設計)人: | 李俊杰;高京秀;金湘甲;崔新逸 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 11286 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 田野;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣層 開口區域 顯示面板 顯示區域 顯示元件 像素電極 基底 底切結構 對電極 多層膜 薄膜封裝層 有機封裝層 顯示裝置 封裝層 中間層 覆蓋 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基底,具有開口區域和至少部分地圍繞所述開口區域的顯示區域;
多個顯示元件,布置在所述顯示區域中,所述多個顯示元件中的每個包括像素電極、對電極和置于所述像素電極與所述對電極之間的中間層;
多層膜,包括布置在所述基底與所述像素電極之間的第一絕緣層和布置在所述第一絕緣層上并且具有與所述第一絕緣層的材料不同的材料的第二絕緣層;以及
薄膜封裝層,覆蓋所述多個顯示元件并且包括至少一個有機封裝層和至少一個無機封裝層,
其中,所述多層膜包括設置在所述開口區域與所述顯示區域之間的第一凹槽,并且
其中,所述第一凹槽具有底切結構,在所述底切結構中,所述第一凹槽的下寬度大于所述第一凹槽的上寬度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述第一絕緣層為有機絕緣層,所述第二絕緣層為無機絕緣層。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述像素電極接觸所述第一絕緣層的上表面,并且所述像素電極的端部被所述第二絕緣層覆蓋。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,在所述薄膜封裝層中,所述至少一個無機封裝層包括第一無機封裝層和第二無機封裝層,其中,所述至少一個有機封裝層包括一個有機封裝層,其中,所述有機封裝層設置在所述第一無機封裝層與所述第二無機封裝層之間。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述至少一個無機封裝層覆蓋所述第一凹槽的內表面。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,所述顯示面板還包括設置在所述多層膜之下的第三絕緣層,
其中,所述至少一個無機封裝層通過所述第一凹槽與所述第三絕緣層直接接觸。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述第三絕緣層是無機絕緣層。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述至少一個有機封裝層至少部分地填充所述第一凹槽。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述多層膜還包括與所述第一凹槽相鄰的第二凹槽,所述第二凹槽比所述第一凹槽靠近所述開口區域。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其中,所述至少一個有機封裝層的端部位于所述第一凹槽與所述第二凹槽之間。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述基底和所述薄膜封裝層均具有對應于所述開口區域的開口。
12.一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基底,具有開口區域;
多個顯示元件,布置在所述基底上,所述多個顯示元件圍繞所述開口區域,并且所述多個顯示元件中的每個包括像素電極、對電極和置于所述像素電極與所述對電極之間的中間層;
多層膜,包括布置在所述基底與所述像素電極之間的第一絕緣層和設置在所述第一絕緣層上的第二絕緣層;以及
封裝層,覆蓋所述多個顯示元件,
其中,所述多層膜包括圍繞所述開口區域并且相對于所述多層膜的深度方向凹入的第一凹槽,并且
其中,所述第一凹槽具有底切結構,在所述底切結構中,所述第一凹槽的下寬度大于所述第一凹槽的上寬度。
13.根據權利要求12所述的顯示面板,其中,所述第一絕緣層與所述像素電極直接接觸,所述第二絕緣層覆蓋所述像素電極的邊緣。
14.根據權利要求12所述的顯示面板,其中,所述第一絕緣層為有機絕緣層,所述第二絕緣層為無機絕緣層。
15.根據權利要求12所述的顯示面板,其中,所述封裝層包括至少一個無機封裝層和至少一個有機封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





