[發明專利]MRAM底電極的制備方法在審
| 申請號： | 201910552433.0 | 申請日： | 2019-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN112133819A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 王雷;陳桂霖 | 申請（專利權）人： | 中電?？导瘓F有限公司;浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667 | 代理人： | 趙永剛 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mram 電極 制備 方法 | ||
1.一種MRAM底電極的制備方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底依次包括金屬互聯層、第一阻擋層以及介電層，在所述第一阻擋層及介電層中形成有底部通孔，所述底部通孔與所述金屬互聯層相連，并在所述基底表面依次覆蓋有第二阻擋層和導電金屬層，所述導電金屬層填充滿所述底部通孔；
對所述導電金屬層進行化學機械拋光，以去除所述第二阻擋層上方的導電金屬層；
第一次沉積底電極金屬，以填充滿對所述導電金屬層進行化學機械拋光后在所述底部通孔內形成的碟形凹陷，形成底電極金屬預制層；
對所述底電極金屬預制層進行化學機械拋光，以去除所述底部通孔外介電層上方多余的第二阻擋層及底電極金屬預制層；
第二次沉積底電極金屬，以覆蓋所述介電層和所述碟形凹陷內的底電極金屬，形成底電極金屬層；
對所述底電極金屬層進行光刻和刻蝕，得到MRAM底電極。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述導電金屬層進行化學機械拋光，包括：將拋光終點停止在所述第二阻擋層，依據終點檢測方法檢測到所述第二阻擋層后進行過拋光，以完全去除所述第二阻擋層上方的導電金屬層。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第一次沉積的底電極金屬的厚度大于所述碟形凹陷的深度。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第二次沉積的底電極金屬與第一次沉積的底電極金屬材料相同或不同。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述底電極金屬的材料為TaN、Ta、TiN和Ti中的任意一種或者幾種的混合物。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電金屬層的材料為Cu、W和Al中的一種或幾種的混合物。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻擋層的材料為Ta、TaN、Ti、TiN、Co和Ru中的任意一種或幾種的混合物。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層的材料為氧化硅SiO、二氧化硅SiO2、碳氧化物CDO、氮化硅SiN、氟硅玻璃FSG、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、正硅酸乙酯TEOS、Low-K介電質或者Ultra-Low-K介電質。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為氮氧硅化合物、氮化硅、碳氮硅化合物或者碳化硅。
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