[發明專利]薄膜晶體管基板和包括其的顯示裝置有效
| 申請號： | 201910547463.2 | 申請日： | 2016-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN110224023B | 公開（公告）日： | 2022-08-02 |
| 發明（設計）人： | 樸濟炯 | 申請（專利權）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;冷永華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 包括 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管基板，包括：
基板，所述基板具有用于顯示圖像的顯示區、以及圍繞所述顯示區設置的非顯示區；和
在所述非顯示區中的電路部，所述電路部具有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括第一電極、在所述第一電極上的絕緣膜、以及在所述絕緣膜上的第二電極，
其中所述第一電極的邊緣與所述第二電極的邊緣彼此平行，所述第一電極的邊緣延伸超過所述第二電極的邊緣，以及
其中所述絕緣膜設置為確保所述第一電極和所述第二電極之間的電隔離。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括：
在所述基板上的柵極線；和
柵極連接部，其布置在所述非顯示區并且配置為從所述柵極線的邊緣突出，
其中所述柵極連接部面對所述第一電極的邊緣。
3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，
其中所述第一電極、所述柵極線和所述柵極連接部布置在同一層中，以及
其中所述柵極連接部從所述柵極線的邊緣突出以具有相對大的面積。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括：
在所述基板上的柵極線；和
柵極連接部，其布置在所述非顯示區并且配置為從所述柵極線的邊緣突出，
其中所述第二電極經由至少一個接觸孔電連接至所述柵極連接部。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括：
在所述基板上的柵極線；和
跳線結構，其布置在所述非顯示區并且配置為電連接所述柵極線和所述第二電極。
6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管基板，
其中所述第一電極的邊緣布置在所述第二電極的邊緣與所述跳線結構之間。
7.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，
其中所述第一電極的邊緣與所述柵極連接部之間的第一間隔小于所述第二電極的邊緣與所述柵極連接部之間的第二間隔。
8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，
其中所述第一電極的邊緣與所述第二電極的邊緣之間的間隔為3μm或更大。
9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括在所述基板上的柵極線，
其中所述柵極線電連接至所述第二電極，以及
其中所述第一電極與所述柵極線電隔離。
10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括在所述基板上的柵極線，
其中所述柵極線電連接至所述第二電極，
其中所述第一電極為所述薄膜晶體管的柵電極，以及
其中所述第二電極為所述薄膜晶體管的源/漏電極。
11.一種薄膜晶體管基板，包括：
具有顯示區和非顯示區的基板，所述顯示區包括連接至柵極線和數據線的像素，所述非顯示區設置為圍繞所述顯示區；和
布置在所述非顯示區中的電路部，
其中所述電路部包括：
薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有柵電極，與所述柵電極交疊的源/漏電極，以及在所述柵電極與所述源/漏電極之間的絕緣膜；和
跳線結構，所述跳線結構將所述柵極線電連接至所述薄膜晶體管的所述源/漏電極，
其中所述薄膜晶體管的所述柵電極包括朝著所述跳線結構延伸超過所述源/漏電極的邊緣的延伸部，以及
其中所述絕緣膜設置為確保所述柵電極和所述源/漏電極之間的電隔離。
12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管基板，
其中所述柵電極的所述延伸部的末端布置在所述源/漏電極的邊緣與所述跳線結構之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司，未經樂金顯示有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910547463.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種基于非對稱范德華異質結構的場效應管及其制備方法
- 下一篇：半導體裝置
- 同類專利
- 專利分類
