[發(fā)明專(zhuān)利]陽(yáng)極膜修復(fù)方法、陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及化學(xué)氣相沉淀設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910543647.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110218990B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王明一 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/50 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/50 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陽(yáng)極 修復(fù) 方法 結(jié)構(gòu) 化學(xué) 沉淀 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供了一種陽(yáng)極膜修復(fù)方法、陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及化學(xué)氣相沉淀設(shè)備。該陽(yáng)極膜修復(fù)方法,包括以下步驟:S1、標(biāo)記出陽(yáng)極膜上產(chǎn)生電弧的待修補(bǔ)區(qū)域;S2、對(duì)所述待修補(bǔ)區(qū)域進(jìn)行清洗;S3、對(duì)清洗后的所述待修補(bǔ)區(qū)域涂布后補(bǔ)保護(hù)膜層以形成優(yōu)化區(qū)域;S4、對(duì)所述優(yōu)化區(qū)域進(jìn)行表面處理,以使得該優(yōu)化區(qū)域平整;S5、對(duì)表面處理后的優(yōu)化區(qū)域進(jìn)行阻抗檢測(cè);S6、若阻抗檢測(cè)不通過(guò),則轉(zhuǎn)至步驟S3;S7、若阻抗檢測(cè)通過(guò),則修復(fù)結(jié)束。本發(fā)明通過(guò)采用后補(bǔ)保護(hù)膜層涂布到電弧產(chǎn)生的區(qū)域可以對(duì)陽(yáng)極結(jié)構(gòu)進(jìn)行修復(fù),并且可以降低成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉淀領(lǐng)域,具體涉及一種陽(yáng)極膜修復(fù)方法、陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及化學(xué)氣相沉淀設(shè)備。
背景技術(shù)
在化學(xué)氣相沉淀工藝過(guò)程中,化學(xué)氣相沉淀設(shè)備的下電極在生產(chǎn)中,因膜邊異常或產(chǎn)品缺陷導(dǎo)致下電極表面發(fā)生電弧反應(yīng),視情況需進(jìn)行陽(yáng)極膜再生;每次進(jìn)行陽(yáng)極膜再生的維修的費(fèi)用均是較大的支出。
因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,急需改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陽(yáng)極膜修復(fù)方法、陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及化學(xué)氣相沉淀設(shè)備,可以節(jié)約成本。
本發(fā)明提供了一種陽(yáng)極膜修復(fù)方法,包括以下步驟:
S1、標(biāo)記出陽(yáng)極膜上產(chǎn)生電弧的待修補(bǔ)區(qū)域;
S2、對(duì)所述待修補(bǔ)區(qū)域進(jìn)行清洗;
S3、對(duì)清洗后的所述待修補(bǔ)區(qū)域涂布后補(bǔ)保護(hù)膜層以形成優(yōu)化區(qū)域;
S4、對(duì)所述優(yōu)化區(qū)域進(jìn)行表面處理,以使得該優(yōu)化區(qū)域平整;
S5、對(duì)表面處理后的優(yōu)化區(qū)域進(jìn)行阻抗檢測(cè);
S6、若阻抗檢測(cè)不通過(guò),則轉(zhuǎn)至步驟S3;
S7、若阻抗檢測(cè)通過(guò),則修復(fù)結(jié)束。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極膜修復(fù)方法中,所述步驟S3包括:
對(duì)清洗后的所述待修補(bǔ)區(qū)域涂布陶瓷膠層以形成優(yōu)化區(qū)域。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極膜修復(fù)方法中,所述步驟S4包括:
對(duì)所述優(yōu)化后的區(qū)域進(jìn)行打磨處理,以使得該優(yōu)化區(qū)域平整且與和所述優(yōu)化區(qū)域相連的區(qū)域持平。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極膜修復(fù)方法中,所述步驟S5包括:
采用萬(wàn)用表檢測(cè)所述表面處理后的優(yōu)化區(qū)域的阻抗值;
若阻抗值大于閾值則表明阻抗檢測(cè)通過(guò);
若阻抗值小于閾值則表面阻抗檢測(cè)不通過(guò)。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極膜修復(fù)方法中,所述步驟S2包括:
采用堿性溶液對(duì)所述待修補(bǔ)區(qū)域進(jìn)行清洗。
一種陽(yáng)極結(jié)構(gòu),應(yīng)用于化學(xué)氣相沉淀設(shè)備中,所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)包括:
一陽(yáng)極金屬層,所述陽(yáng)極金屬層包括第一區(qū)域以及第二區(qū)域;
一陽(yáng)極膜層,其設(shè)置于所述陽(yáng)極金屬層上的第一區(qū)域;
一后補(bǔ)保護(hù)膜層,其設(shè)置于所述陽(yáng)極金屬層上的第二區(qū)域。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)中,所述后補(bǔ)保護(hù)膜層為陶瓷膠涂布層。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)中,所述后補(bǔ)保護(hù)膜層表面平整且與所述陽(yáng)極膜層齊平。
在本發(fā)明所述的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)中,所述陽(yáng)極膜層為致密金屬氧化膜。
一種化學(xué)氣相沉淀設(shè)備,其包括上述任一項(xiàng)所述的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。
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C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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