[發明專利]一種疊層鈍化結構及其制備方法和太陽能電池在審
| 申請號： | 201910543234.3 | 申請日： | 2019-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110416322A | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 劉慎思;張小明;林綱正 | 申請（專利權）人： | 天津愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓;李素蘭 |
| 地址： | 300403 天津市北辰區天津北辰*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化結構 疊層 太陽能電池 多晶硅層 減反層 去除 制備 本征多晶硅層 沉積鈍化層 非電極區域 高溫處理 硅片正面 表面態 鈍化層 懸掛鍵 摻雜 | ||
1.一種疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，包括：
(1)對硅片進行預處理；
(2)在硅片正面生長鈍化層；
(3)在所述鈍化層上生長N型多晶硅層；
(4)在所述N型多晶硅層上生長本征多晶硅層；
(5)對所述本征多晶硅層進行磷摻雜，并將硅片進行高溫處理，以在所述鈍化層上形成N+型多晶硅層；
(6)在所述N+多晶硅層上沉積減反層；
(7)將硅片正面非電極區鈍化層、N+型多晶硅層、減反層去除；得到疊層鈍化結構成品。
2.如權利要求1所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，對所述帶有絨面的硅片進行臭氧氧化，形成鈍化層；所述鈍化層為二氧化硅層。
3.如權利要求2所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，采用LPCVD法或PECVD法在所述鈍化層上進行沉積多晶硅，沉積過程中通入濃度為5-15％的磷烷進行摻雜，以形成N型多晶硅層。
4.如權利要求3所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，采用LPCVD或PECVD法在所述N型多晶硅層上沉積本征多晶硅層；
步驟(5)中，采用磷源擴散、注入磷烷或旋涂的方法進行磷摻雜。
5.如權利要求3或4所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，采用LPCVD法沉積所述N型多晶硅層和本征多晶硅層；
步驟(5)中，所述高溫處理的溫度為850-950℃。
6.如權利要求1所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為2-5nm；所述N型多晶硅層的厚度為50-70nm；所述本征多晶硅層的厚度為50-200nm。
7.如權利要求6所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為2-5nm；所述N型多晶硅層的厚度為50-60nm；所述本征多晶硅層的厚度為100-200nm。
8.如權利要求7所述的疊層鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述硅片為P型單晶硅片。
9.一種疊層鈍化結構，其特征在于，其采用如權利要求1-8任一項所述的制備方法制備而成。
10.一種疊層鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，其包括如權利要求9所述的疊層鈍化結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
