[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910533641.6
• 申請(qǐng)日: 2019-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN112117191A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張青淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底及凸出于所述襯底的鰭部；

在所述襯底上形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁；

在所述隔離層露出的所述鰭部側(cè)壁上形成側(cè)墻；

在所述隔離層覆蓋的所述鰭部側(cè)壁上形成氧化層；

去除所述側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對(duì)所述隔離層覆蓋的所述鰭部側(cè)壁進(jìn)行熱氧化處理，形成所述氧化層。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述熱氧化處理的工藝溫度大于或等于800℃。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔離層的材料為氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為氮化硅或氮氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層前，還包括：在所述鰭部頂部形成硬掩膜層；去除所述側(cè)墻后，還包括：去除所述硬掩膜層。

7.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述側(cè)墻的工藝步驟包括：在所述隔離層頂部、所述鰭部側(cè)壁、所述硬掩膜層頂部及側(cè)壁上形成側(cè)墻膜；去除位于所述隔離層頂部及所述硬掩膜層頂部上的所述側(cè)墻膜，形成所述側(cè)墻。

8.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜層后，還包括：在所述隔離層露出的所述鰭部頂部及側(cè)壁上形成柵氧化層。

9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述柵氧化層后，還包括：在所述柵氧化層上形成偽柵，所述偽柵橫跨所述鰭部；在所述偽柵兩側(cè)的所述鰭部?jī)?nèi)形成源漏摻雜層；去除所述偽柵；去除所述柵氧化層。

10.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，去除所述柵氧化層過程中，

還包括：去除部分厚度所述隔離層。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

鰭部，凸出于所述襯底；

隔離層，位于所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁；

氧化層，位于所述隔離層覆蓋的所述鰭部側(cè)壁上。