[發明專利]一種全鋁背場晶體硅太陽能電池用低溫燒結型背面銀漿有效
| 申請號： | 201910529059.2 | 申請日： | 2019-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN110459343B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 朱鵬;楊貴忠;陳艷美;王葉青 | 申請（專利權）人： | 南通天盛新能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01B1/22 | 分類號： | H01B1/22;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 226000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 全鋁背場 晶體 太陽能電池 低溫 燒結 背面 | ||
1.一種全鋁背場晶體硅太陽能電池用低溫燒結型背面銀漿，其特征在于：所述的低溫燒結型背面銀漿按照質量份數包括以下組分制備而成：
其中，所述的納米銀粉的振實密度為3-3.25g/cm3，所述的納米銀粉的比表面積為4.8～5.8cm2/g，所述的納米銀粉的中值粒徑D50為0.05～0.5μm，所述的納米銀粉的粒徑跨度為0.8～09，所述的納米銀粉的燒損率為0.15～0.2％；
所述玻璃粉的軟化點為250～350℃，所述玻璃粉的中值粒徑D50為0.3～04μm；
所述的玻璃粉按照質量份數包括60～65份的Pb3O4、10～20份的B2O3、5～10份的ZnO或Zn3(PO4)2、1～10份的SiO2、1～3份的Al2O3、1～3份的NiO和2～5份的V2O5；
在P型晶體硅正面形成氮化硅減反射的鈍化膜，然后在P型晶體硅背面鍍背面鈍化層，然后在背面鈍化層上開槽，然后分別對P型晶體硅的正面和反面進行金屬化，P型晶體硅的背面金屬的方法包括：
(1)在P型晶體硅的背面鈍化層上印刷鋁漿并烘干，然后再正面印刷銀漿料并烘干，進行燒結；
(2)在步驟(1)所述的背面鋁漿上印刷用所述低溫燒結型背面銀漿印刷背面銀漿，經過烘干，燒結后形成背銀電極；
所述步驟(1)中的背面鋁漿的烘干溫度為150～250℃，烘干時間為2.5～3.5min，所述的正面銀漿的烘干溫度為150～250℃，所述的正面銀漿的燒結溫度為750～850℃，燒結時間為8～15s；
所述步驟(2)中的背面電極的烘干溫度為150～250℃，烘干時間是1.5～2.5min，所述的背面電極燒結溫度為250～400℃，所述的背面電極的線寬為0.6～2.5mm，線長為8～20mm，線高為2～5μm。
2.根據權利要求1所述的全鋁背場晶體硅太陽能電池用低溫燒結型背面銀漿，其特征在于：所述的有機載體選自乙基纖維素、松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、醇酯十二中的一種或者幾種混合。
3.根據權利要求1所述的全鋁背場晶體硅太陽能電池用低溫燒結型背面銀漿，其特征在于：所述的分散劑選自DMA、TDO、山梨醇酐三油酸酯、BYK-110和BYK-111中的一種或者幾種混合。
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