[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法及顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910513113.4 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN110246880B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王一佳;張明 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法和顯示面板,通過將現(xiàn)有的顯示面板中的下基板中的玻璃基板剝離,同時將下基板中的柔性基板的至少一部分基板轉變?yōu)榫哂惺┙Y構的石墨烯柔性基板,通過石墨烯良好的導熱性能對顯示面板進行快速散熱,同時石墨烯柔性基板代替了顯示面板中原有的泡沫/石墨/銅箔三合一散熱結構,降低了顯示面板的厚度。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板的制備方法和顯示面板。
背景技術
顯示面板,如有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱:OLED)因其在固態(tài)照明和平板顯示的方向擁有巨大的發(fā)展?jié)摿Χ玫搅藢W術界和產(chǎn)業(yè)界的極大關注。柔性OLED顯示屏由于具有低功耗、高分辨率、快速響應、可彎折等特性,是顯示行業(yè)熱門的發(fā)展方向,其厚度越薄則市場競爭力越大。目前通常采用聚酰亞胺(Polyimide,PI)或聚對苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate,PET)等柔性材料作為基板,在其上方依次制備薄膜晶體二極管(Thin film transistor,TFT)、OLED、薄膜封裝層(Thin filmencapsulation,TFE),然后在上方繼續(xù)制備偏光片和封裝。
為了驅動TFT,需要在柔性基板底部制備電路。當顯示面板工作時,電流通過TFT電路會發(fā)熱,為了方便散熱通常在聚酰亞胺膜背面增加背板(Back Plate,BP)及泡沫/石墨/銅箔三合一結構,包括亞克力材質(zhì)的泡沫、石墨、銅箔(Cu coil),但是三合一結構的厚度較大,為50~100um;且石墨為片層結構,熱量主要沿著片層方向傳導,顯示面板的散熱效果不夠理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術下的顯示面板厚度較大,散熱效果不好的問題,提出一種顯示面板的制備方法及顯示面板。
第一方面,本發(fā)明提出一種顯示面板的制備方法,所述方法包括:
提供玻璃基板;
在所述玻璃基板上形成柔性基板;
在所述柔性基板上依次制備陣列層、發(fā)光層和封裝層;
剝離所述柔性基板上的玻璃基板;
將所述柔性基板的至少一部分基板轉變?yōu)榫哂惺┙Y構的石墨烯柔性基板。
進一步的,所述剝離所述柔性基板上的玻璃基板,包括:
采用激光切割的方式剝離所述柔性基板上的玻璃基板。
進一步的,所述將所述柔性基板的至少一部分基板轉變?yōu)榫哂惺┙Y構的石墨烯柔性基板,包括:
通過激光誘導過程將所述柔性基板的至少一部分基板轉變?yōu)榫哂惺┙Y構的石墨烯柔性基板。
進一步的,所述激光誘導過程中激光的功率在0.5-3W之間。
進一步的,所述方法還包括:在所述石墨烯柔性基板的背面貼合導熱金屬,以進行散熱。
進一步的,所述方法還包括:在所述封裝層上方依次進行模組工藝,以對所述顯示面板進行保護。
進一步的,所述石墨烯柔性基板中的石墨烯結構為垂直凸起結構,使得熱量通過垂直路徑進行傳導。
第二方面,本發(fā)明還提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
柔性基板,所述柔性基板的至少一部分基板為具有石墨烯結構的石墨烯柔性基板;
陣列層,位于所述石墨烯柔性基板上方;
發(fā)光層,位于所述陣列層上方;
封裝層,位于所述發(fā)光層上方;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





