[發(fā)明專利]一種提高氮化硅鈍化性能的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910509923.2
• 申請日: 2019-06-13
• 公開（公告）號: CN110137312A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐冠超
• 申請（專利權(quán)）人: 天合光能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.在氮化硅沉積完成以后，太陽電池半成品繼續(xù)留在反應(yīng)腔體內(nèi)；

b.在反應(yīng)腔體內(nèi)停止通入硅烷，使用等離子微波源對氮化硅進(jìn)行轟擊。

2.如權(quán)利要求1所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述等離子微波源的功率為100～9000w，轟擊時(shí)間為20～500s。

3.如權(quán)利要求2所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述等離子微波源的功率為6400w，轟擊時(shí)間為240s。

4.如權(quán)利要求1所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為200～800℃。

5.如權(quán)利要求4所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為500℃。

6.如權(quán)利要求1所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述步驟b中，反應(yīng)腔體內(nèi)停止通入硅烷，通入氮?dú)饣蛘咴谡婵障拢褂玫入x子微波源對氮化硅進(jìn)行轟擊。

7.如權(quán)利要求1～5任一所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述步驟b中，反應(yīng)腔體內(nèi)停止通入硅烷，通入氨氣，使用等離子微波源對氮化硅進(jìn)行轟擊。

8.如權(quán)利要求7所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述氨氣的流量為500～9000sccm。

9.如權(quán)利要求8所述的提高氮化硅鈍化性能的方法，其特征在于，所述氨氣的流量為5000sccm。