[發明專利]內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構與方法

有效

• 申請號: 201910507205.1
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN110195213B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 李峰;薛道榮;韓成明;李強;劉子毓
• 申請（專利權）人: 河北道榮新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 李林

1.一種內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構，其特征在于：包括內部可供鍍膜管通過的連續鍍膜室，所述連續鍍膜室由外至內分別設有固定套管、環形的磁鐵與環形的靶材，其中：

所述固定套管的兩端設有真空密封閥，并且設有貫通內外的抽氣口與布氣管；

所述靶材具有數個并且沿鍍膜室的軸向拼接，相鄰的靶材用絕緣條相互隔絕，數個靶材均連接有外部電源；

所述磁鐵呈片狀，在鍍膜室的軸向上依次層疊，與各個靶材分別對應布置。

2.根據權利要求1所述的內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構，其特征在于：在連續鍍膜室的一端連通有進管室，另一端連通有出管室，在進管室的外端以及在出管室的外端分別設有真空密封閥，使進管室、連續鍍膜室以及出管室能夠分別密封。

3.根據權利要求1所述的內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構，其特征在于：所述磁鐵是永磁鐵或電磁鐵，其按照相同磁極方向鑲嵌在固定套管內壁的凹槽位置。

4.根據權利要求1所述的內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構，其特征在于：相鄰的靶材之間用擋板分隔開，擋板上開設有供鍍膜管通過的穿孔。

5.根據權利要求1所述的內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配式結構，其特征在于：所述真空密封閥是光闌可變閥。

6.一種內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配方法，其特征在于，包括：

首先，根據所需膜層工藝完成靶材的組成設計，即計算出所需靶材的種類與各自長度；

之后，根據靶材的組成設計，選擇相應長度的固定套管，在各固定套管內壁層疊設置磁鐵，將靶材固定于磁鐵內側，將固定套管依序拼接，并在完成拼接后的固定套管的兩端安裝真空密封閥，構成連續鍍膜室。

7.根據權利要求6所述的內腔式磁控濺射鍍膜室的裝配方法，其特征在于：還將進管室與出管室安裝在連續鍍膜室的兩端，并且在進管室的外端以及在出管室的外端分別安裝真空密封閥。