[發(fā)明專利]存儲器控制器、存儲器系統(tǒng)以及存儲器系統(tǒng)的糾錯方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910489712.7
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN111199768A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 吳銀珠;趙永進;李永根
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C16/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;王兆賡

提供一種存儲器控制器、存儲器系統(tǒng)以及存儲器系統(tǒng)的糾錯方法。所述存儲器控制器包括：糾錯碼(ECC)電路，被配置為：校正從存儲器裝置提供的讀取碼字的錯誤，其中，ECC電路包括：碼字組合生成器，被配置為：接收從存儲器裝置的第一區(qū)域讀取的包括多個第一讀取碼字比特值的第一讀取碼字，通過改變所述多個第一讀取碼字比特值中的一個或多個的值來生成改變碼字，并且提供包括改變碼字的碼字組合；以及ECC解碼器，包括多個ECC引擎，其中，ECC解碼器被配置為并行地對包括在碼字組合中的多個碼字執(zhí)行ECC解碼。

本申請要求于2018年11月19日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0142509號韓國專利申請的優(yōu)先權，該韓國專利申請的公開通過整體引用包含于此。

技術領域

與示例實施例一致的設備和方法涉及存儲器控制器，并且更具體地，涉及包括糾錯碼(ECC)電路的存儲器控制器、包括該存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)以及該存儲器系統(tǒng)的糾錯方法。

背景技術

閃存和電阻式存儲器(諸如，相變隨機存取存儲器(PRAM)、納米浮柵存儲器(NFGM)、聚合物隨機存取存儲器(PoRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)和電阻式隨機存取存儲器(RRAM))是非易失性存儲器裝置的類型。電阻式存儲器具有高速度和非易失性。

在電阻式存儲器中，存儲器單元的電阻分布可隨時間而變化，由于此，讀取數(shù)據的可靠性會降低。檢測最佳讀取電平的處理已被經提出，但是這會限制讀取數(shù)據的可靠性，并且由于檢測最佳讀取電平的處理會導致增加的延遲。

發(fā)明內容

一個或多個示例實施例提供一種用于減少讀取操作并提高糾錯可能性的存儲器控制器、一種包括存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)以及一種存儲器系統(tǒng)的糾錯方法。

根據示例實施例的一個方面，提供一種存儲器控制器，所述存儲器控制器包括：糾錯碼(ECC)電路，被配置為：校正從存儲器裝置提供的讀取碼字的錯誤，其中，ECC電路包括：碼字組合生成器，被配置為：接收從存儲器裝置的第一區(qū)域讀取的包括多個第一讀取碼字比特值的第一讀取碼字，通過改變所述多個第一讀取碼字比特值中的一個或多個的值來生成改變碼字，并且提供包括改變碼字的碼字組合；以及ECC解碼器，包括多個ECC引擎，其中，ECC解碼器被配置為并行地對包括在碼字組合中的多個碼字執(zhí)行ECC解碼。

根據示例實施例的一個方面，提供一種存儲器系統(tǒng)，所述存儲器系統(tǒng)包括：存儲器裝置，包括包含多個區(qū)域的存儲器單元陣列；以及存儲器控制器，被配置為控制存儲器裝置的讀取操作并校正從存儲器裝置讀取的碼字的錯誤。存儲器控制器包括：處理器；以及糾錯碼(ECC)電路，被配置為：基于通過對存儲器裝置的第一區(qū)域執(zhí)行的多個讀取操作而分別讀取的第一讀取碼字和第二讀取碼字，通過改變包括在第一讀取碼字中的多個第一讀取碼字比特值之中的具有錯誤可能性的一個或多個第一比特的值來生成一個或多個改變碼字，并且通過并行地對所述一個或多個改變碼字執(zhí)行ECC解碼來校正第一區(qū)域。

根據示例實施例的一個方面，提供一種存儲器系統(tǒng)的糾錯方法，所述糾錯方法包括：基于存儲器控制器的控制，通過對包括多個區(qū)域的存儲器裝置的第一區(qū)域執(zhí)行的第一讀取操作來讀取包括多個第一讀取碼字比特值的第一讀取碼字；基于存儲器控制器的控制，通過對存儲器裝置的第一區(qū)域執(zhí)行的第二讀取操作來讀取包括多個第二讀取碼字比特值的第二讀取碼字；基于存儲器控制器的糾錯碼(ECC)電路的控制，通過將第一讀取碼字的所述多個第一讀取碼字比特值與第二讀取碼字的所述多個第二讀取碼字比特值進行比較，從包括在第一讀取碼字中的所述多個第一讀取碼字比特值之中檢測一個或多個第一比特；基于ECC電路的控制，通過改變第一讀取碼字的所述一個或多個第一比特的值來生成一個或多個改變碼字；以及基于ECC電路的控制，通過對所述一個或多個改變碼字的ECC解碼來校正第一區(qū)域的第一區(qū)域錯誤。

附圖說明

從下面結合附圖的詳細描述，以上和其它方面、特征和優(yōu)點將被更清楚地理解，其中：