[發明專利]電阻式存儲器及其數據寫入方法

有效

• 申請號: 201910481138.0
• 申請日: 2019-06-04
• 公開（公告）號: CN112037833B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 趙鶴軒;王炳琨;林小峰;服部規男;吳健民;洪志華
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種電阻式存儲器的數據寫入方法，包括：

接收寫入數據并產生反向寫入數據；

讀取多個選中存儲單元中的目前數據；

使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較；

依據比較結果選擇根據所述寫入數據及所述反向寫入數據的一者產生最終數據；以及

寫入所述最終數據至所述多個選中存儲單元中，

所述數據寫入方法還包括：

當所述寫入數據被選中為所述最終數據時，設定數據反向旗標為第一邏輯值；

當所述反向寫入數據被選中為所述最終數據時，設定所述數據反向旗標為第二邏輯值；

當所述寫入數據為第一特殊數據時，設定所述數據反向旗標為所述第一邏輯值，并設定特殊數據旗標為第三邏輯值以作為所述最終數據；以及

當所述寫入數據為第二特殊數據時，設定所述數據反向旗標為所述第二邏輯值，并設定所述特殊數據旗標為所述第三邏輯值以作為所述最終數據。

2.根據權利要求1所述的數據寫入方法，包括：

當所述寫入數據為第一特殊數據或第二特殊數據，或當所述電阻式存儲器接收抹除命令時，設定特殊數據旗標為第三邏輯值以作為所述最終數據。

3.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其中使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較的步驟包括：

根據優先選擇旗標對應的模式使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較。

4.根據權利要求3所述的數據寫入方法，其中根據所述優先選擇旗標對應的模式使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較的步驟包括：

當所述優先選擇旗標為第四邏輯值時，對應選擇最少變化模式使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較；以及

當所述優先選擇旗標為第五邏輯值時，對應選擇最少重置模式使所述目前數據與所述寫入數據及所述反向寫入數據進行比較。

5.根據權利要求3所述的數據寫入方法，其中寫入所述最終數據至所述多個選中存儲單元中的步驟包括：

針對所述多個選中存儲單元中的至少一第一部分選中存儲單元進行重置程序，其中所述重置程序包括：

依據重置電壓調整旗標設定重置電壓；以及

依據所述重置電壓來對所述至少一第二部分選中存儲單元進行重置操作，

其中依據所述重置電壓調整旗標以設定所述重置電壓的步驟包括：

當所述重置電壓調整旗標為第六邏輯值時，使所述重置電壓等于預設重置電壓；以及

當所述重置電壓調整旗標為第七邏輯值時，使所述重置電壓等于調整重置電壓，其中，所述預設重置電壓的電壓絕對值大于所述調整重置電壓的電壓絕對值。

6.根據權利要求4所述的數據寫入方法，其中寫入所述最終數據至所述多個選中存儲單元中的步驟包括：

針對所述多個選中存儲單元中的至少一第二部分選中存儲單元進行設定程序。

7.根據權利要求6所述的數據寫入方法，其中所述設定程序包括：

依據設定電壓來對所述第二部分選中存儲單元進行設定操作；以及

當所述設定操作失敗時，依據反向設定電壓來對失敗的所述第二部分選中存儲單元執行修復操作，

其中所述設定電壓的絕對值大于所述反向設定電壓的絕對值。

8.根據權利要求7所述的數據寫入方法，其中所述設定程序還包括：

對執行所述修復操作的第一部分選中存儲單元進行驗證以取得驗證結果；以及

依據所述驗證結果以更新所述優先選擇旗標。

9.根據權利要求8所述的數據寫入方法，當所述驗證結果為通過時，設定所述優先選擇旗標為所述第四邏輯值；當所述驗證結果為失敗時，設定所述優先選擇旗標為所述第五邏輯值。

10.根據權利要求2所述的數據寫入方法，包括：

當所述特殊數據旗標為所述第三邏輯值時，令對應的讀出數據為所述第一特殊數據。