[發(fā)明專利]電子裝置和半導體封裝結構的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910480090.1 | 申請日: | 2019-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN110739222A | 公開(公告)日: | 2020-01-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 方緒南;陳建慶 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 底面 絕緣層 頂面 金屬層 電連接元件 開口 電子裝置 共平面 晶種層 界定 延伸 | ||
一種電子裝置包括絕緣層、金屬層和至少一個電連接元件。所述絕緣層具有頂面和與所述頂面相對的底面,并且界定開口,所述開口延伸于所述頂面和所述底面之間。所述金屬層設置于所述絕緣層的所述開口中,并且具有頂面和與所述頂面相對的底面。所述金屬層的所述底面與所述絕緣層的所述底面實質上共平面。所述電連接元件通過晶種層附接到所述金屬層的所述底面。
技術領域
本公開涉及電子裝置和半導體封裝結構的制造方法,并且涉及包括附接于金屬層的電連接元件的電子裝置,和包括所述電子裝置的半導體封裝結構的制造方法。
背景技術
半導體芯片可與大量電子元件集成,以實現(xiàn)強大的電氣性能。相應地,所述半導體芯片具備大量輸入/輸出(input/output,I/O)連接件。為了在實現(xiàn)具備大量I/O連接件的半導體芯片的同時,保持小的半導體封裝,用于外部連接的封裝襯底的接合墊密度可對應地加大。然而,在這種實施方式中,如何將焊球可靠且準確地植設于封裝襯底的接合墊上,是值得關注的問題。另外,焊球植設工序(solder ball planting process)是在模封工序(molding process)之后及單分工序(singulation process)之前進行。然而,在模封工序之后,半成品會發(fā)生翹曲和收縮,尤其是當半成品具有較大尺寸時,焊球植設工序的難度會增加。
發(fā)明內容
在一些實施例中,一種電子裝置包括絕緣層、金屬層和至少一個電連接元件。所述絕緣層具有頂面和與所述頂面相對的底面,并且界定開口,所述開口延伸于所述頂面和所述底面之間。所述金屬層設置于所述絕緣層的所述開口中,并且具有頂面和與所述頂面相對的底面。所述金屬層的所述底面與所述絕緣層的所述底面實質上共平面。所述電連接元件通過晶種層附接于所述金屬層的所述底面。
在一些實施例中,一種電子裝置包括絕緣層、金屬層和至少一個電連接元件。所述絕緣層具有頂面和與所述頂面相對的底面,并且界定開口,所述開口延伸于所述頂面和所述底面之間。所述金屬層設置于所述絕緣層的所述開口中。所述電連接元件附接于所述金屬層,并且具有頂面和與所述頂面相對的底面。所述電連接元件的所述頂面與所述絕緣層的所述底面實質上共平面。
在一些實施例中,一種半導體封裝結構的制造方法,包括:(a)提供載體,所述載體具有第一表面,并在所述第一表面上界定多個開口;(b)形成導電材料于所述載體的所述開口中;(c)形成布線結構于所述載體和所述導電材料上;(d)電連接至少一個半導體裸片于所述布線結構;(e)形成封裝體以覆蓋所述至少一個半導體裸片;和(f)移除所述載體。
附圖說明
當結合附圖閱讀時,從以下具體實施方式容易地理解本公開的一些實施例的各方面。應注意,各種結構可能未按比例繪制,且各種結構的尺寸可出于論述的清楚起見而任意增大或減小。
圖1顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖2顯示圖1中區(qū)域“A”的放大視圖。
圖3顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖4顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖5顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖6顯示圖5中區(qū)域“B”的放大視圖。
圖7顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖8顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖9顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖10顯示圖9中區(qū)域“C”的放大視圖。
圖11顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
圖12顯示本公開的一些實施例的電子裝置的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





