[發(fā)明專利]一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910434088.0 | 申請日： | 2019-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN110219044B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡付生;王琦;張?zhí)祚?/a>;張軍恒;張軍安 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波晶鉆工業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡擁軍;糜婧 |
| 地址： | 315200 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金剛石 激光 生長 方法 | ||
1.一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
（S1）提供單晶金剛石種晶；所述單晶金剛石種晶的厚度大于0.2mm；
（S2）提供激光標(biāo)記設(shè)備，利用所述激光標(biāo)記設(shè)備在所述單晶金剛石種晶表面進(jìn)行標(biāo)記形成缺陷；形成的缺陷在放大0~50倍后供肉眼可見；
（S3）清除進(jìn)行標(biāo)記過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)；具體包括以下步驟：
（S31）用王水加熱浸泡標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶，除去可能殘留的金屬元素；加熱浸泡時間為2~4小時；
（S32）用丙酮超聲清洗標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶，除去可能存在的無機(jī)物；清洗時間為60分鐘；
（S33）用去離子水超聲清洗標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶，除去可能殘留的丙酮；清洗時間為60分鐘；
（S34）用酒精超聲清洗標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶，除去可能存在的無機(jī)物；清洗時間為60分鐘；
（S35）對標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶進(jìn)行等離子體刻蝕清洗，除去標(biāo)記時產(chǎn)生的石墨相產(chǎn)物；清洗時間為60分鐘；
（S4）將標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶放入化學(xué)氣相沉積生長爐中，通入氫氣和甲烷，比例為100:2至100:5，將爐內(nèi)氣壓控制在10KPa~15KPa，控制爐內(nèi)單晶金剛石種晶溫度為700℃~800℃，生長時間大于10小時；
(S5) 完成標(biāo)記后的所述單晶金剛石種晶的生長后，調(diào)節(jié)爐內(nèi)氫氣和甲烷的比例為100:8至100:13，調(diào)節(jié)爐內(nèi)氣壓至25KPa～30KPa，調(diào)節(jié)爐內(nèi)單晶金剛石種晶溫度為1100℃～1300℃。
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