[發(fā)明專利]一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910411972.2
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110137096A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁斐;曹靜;胡勝
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/78;H01L23/492;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗;王寶筠

1.一種鍵合結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供多個晶圓，各所述晶圓具有第一表面和相對的第二表面，且所述第一表面上形成有多顆陣列排布的芯片，各所述芯片包括器件結(jié)構(gòu)、與所述器件結(jié)構(gòu)電連接的互連結(jié)構(gòu)以及與所述互連結(jié)構(gòu)電連接的第一封裝墊層，所述第一封裝墊層設(shè)置于所述芯片的邊緣區(qū)域；

利用鍵合層將所述多個晶圓依次鍵合，以形成晶圓堆疊；

將所述晶圓堆疊進(jìn)行切割，以獲得芯片堆疊；

暴露出各所述芯片的邊緣區(qū)域中的第一封裝墊層；

提供封裝基板，所述封裝基板上設(shè)置有電連線，以及與所述電連線電連接的第二封裝墊層；

將所述芯片堆疊的第一封裝墊層電連接至所述封裝基板的第二封裝墊層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在利用鍵合層將所述多個晶圓依次鍵合的步驟中，相鄰的其中兩個晶圓的鍵合方法包括：

所述相鄰的其中兩個晶圓的第一表面上還覆蓋有鍵合層，將一晶圓的第一表面朝向另一晶圓的第一表面，通過鍵合層將兩晶圓鍵合；或者，

所述相鄰的其中兩個晶圓的第一表面上還覆蓋有鍵合層，將一晶圓的第一表面朝向另一晶圓的第二表面，通過鍵合層將兩晶圓鍵合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在利用所述鍵合層將所述多個晶圓依次鍵合的步驟中，在相鄰的兩晶圓進(jìn)行鍵合之前或之后，還包括：

從晶圓的第二表面進(jìn)行減薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在利用鍵合層將所述多個晶圓依次鍵合的步驟中，相鄰的其中兩個晶圓的鍵合方法包括：

所述相鄰的其中兩個晶圓的第二表面上還覆蓋有鍵合層，將晶圓的第二表面朝向另一晶圓的第二表面，通過鍵合層將兩晶圓鍵合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述相鄰的其中兩個晶圓已從第二表面減薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的制造方法，其特征在于，減薄的步驟，包括：

利用酸法腐蝕從晶圓的第二表面進(jìn)行減薄；

或者，利用化學(xué)機(jī)械研磨從晶圓的第二表面進(jìn)行減薄；

或者，利用酸法腐蝕從晶圓的第二表面進(jìn)行腐蝕，而后，利用化學(xué)機(jī)械研磨從晶圓的第二表面進(jìn)行平坦化，以實(shí)現(xiàn)晶圓的減薄。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述暴露出所述芯片的邊緣區(qū)域中的第一封裝墊層，包括：

對所述芯片堆疊的側(cè)面進(jìn)行打磨，以暴露出所述芯片的邊緣區(qū)域中的第一封裝墊層。

8.一種鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

由多個芯片依次層疊形成的芯片堆疊，相鄰的芯片之間具有鍵合層，各芯片包括器件結(jié)構(gòu)、與所述器件結(jié)構(gòu)電連接的互連結(jié)構(gòu)以及與所述互連結(jié)構(gòu)電連接的第一封裝墊層，所述第一封裝墊層暴露于芯片的邊緣；

封裝基板，所述封裝基板上設(shè)置有電連線，以及與所述電連線電連接的第二封裝墊層；

其中，所述芯片堆疊的第一封裝墊層與所述封裝基板的第二封裝墊層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片堆疊中的各芯片的器件結(jié)構(gòu)為不同器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片的數(shù)量為3個或3個以上。