[發明專利]一種圖像傳感器及其制作方法在審
| 申請號: | 201910400420.1 | 申請日: | 2019-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN110098212A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 沈新林;王海寬;洪波;郭松輝;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市一法律師事務所 11654 | 代理人: | 劉榮娟 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 白色像素 介質層 光反射層 襯底 半導體 像素區域 制作 半導體器件 感光元件 進光量 白光 反射 申請 飽和 圖像 制造 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,包括:
半導體襯底,所述半導體襯底包括一個以上像素區域,所述一個以上像素區域包括白色像素區域;
第二介質層,位于所述半導體襯底上;
光反射層,所述光反射層位于所述第二介質層中,位置對應于所述白色像素區域。
2.如權利要求1所述圖像傳感器,其特征在于,所述光反射層的表面與所述第二介質層的表面平齊并且所述光反射層的厚度小于所述第二介質層的厚度。
3.如權利要求2所述圖像傳感器,其特征在于,所述光反射層的反射率大于所述第二介質層的反射率。
4.如權利要求3所述圖像傳感器,其特征在于,所述光反射層材料的反射率為0.1至0.6。
5.如權利要求4所述圖像傳感器,其特征在于,所述光反射層為SiC,α-Si,α-C,TiC,TiN中的任意一種或者多種的組合。
6.如權利要求1所述圖像傳感器,其特征在于,所述光反射層的厚度為5nm至50nm。
7.如權利要求1所述圖像傳感器,其特征在于,所述第二介質層與所述半導體襯底之間還包括第一介質層。
8.一種圖像傳感器的制作方法,其特征在于,包括:
提供形成有感光元件的半導體襯底,所述半導體襯底包括一個以上像素區域,所述一個以上像素區域包括白色像素區域;
在所述半導體襯底上形成第二介質層;
在所述第二介質層內形成溝槽,所述溝槽的位置對應于所述白色像素區域;
在所述溝槽內填充光反射層。
9.如權利要求8所述圖像傳感器的制作方法,其特征在于,在所述第二介質層內形成溝槽,所述溝槽的位置對應于所述白色像素區域的步驟包括:
在所述第二介質層上依次形成抗反射層和光阻層,并在所述光阻層和抗反射層上定義出白色像素區域;
以所述光阻層和抗反射層為掩膜,刻蝕所述第二介質層形成溝槽;
去除所述光阻層和抗反射層。
10.如權利要求8所述圖像傳感器的制作方法,其特征在于,在所述溝槽內填充光反射層的步驟包括:
在所述第二介質層表面以及所述溝槽內形成光反射層材料;
采用研磨工藝去除所述第二介質層表面的光反射層材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





