[發明專利]一種深紫外LED外延結構及其制備方法和深紫外LED有效
| 申請號： | 201910387848.7 | 申請日： | 2019-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN110112273B | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 徐孝靈;黃小輝;王小文;康健;鄭遠志;陳向東 | 申請（專利權）人： | 馬鞍山杰生半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 劉會景;劉芳 |
| 地址： | 243000 安徽省馬*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 深紫 led 外延 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種深紫外LED外延結構，其特征在于，包括襯底以及自襯底向上依次層疊設置的緩沖層、N型AlGaN層、多量子阱結構、電子阻擋層、P型AlGaN層和P型GaN層；
其中，自襯底向上，所述P型AlGaN層包括依次層疊設置的第一子層、第二子層和第三子層：
所述第一子層為P型AlxGa1-xN層；
所述第二子層包括交替層疊設置的非摻雜AlyGa1-yN層與摻雜AlyGa1-yN層，交替次數≥1；
所述第三子層為P型AlzGa1-zN層，1＞x＞y＞z＞0。
2.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，0.1≤x-z≤0.4。
3.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層包括至少一層AlGaN層，且所述電子阻擋層中的Al含量不低于所述第一子層中的Al含量。
4.根據權利要求2所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層包括至少一層AlGaN層，且所述電子阻擋層中的Al含量不低于所述第一子層中的Al含量。
5.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述第二子層中摻雜元素的摻雜量不低于所述第一子層中摻雜元素的摻雜量；和/或，所述第二子層中摻雜元素的摻雜量不低于所述第三子層中摻雜元素的摻雜量。
6.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述摻雜元素為Mg。
7.根據權利要求5所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述摻雜元素為Mg。
8.根據權利要求1-7任一項所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述第一子層的厚度為10～20nm，所述第二子層的總厚度為10～20nm，所述第三子層的厚度為5～10nm。
9.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，在所述第二子層中，摻雜AlyGa1-yN層的厚度大于非摻雜AlyGa1-yN層的厚度。
10.根據權利要求8所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，在所述第二子層中，摻雜AlyGa1-yN層的厚度大于非摻雜AlyGa1-yN層的厚度。
11.根據權利要求1所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述第一子層的厚度大于第二子層的總厚度，所述第二子層的總厚度大于第三子層的厚度。
12.根據權利要求8所述的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述第一子層的厚度大于第二子層的總厚度，所述第二子層的總厚度大于第三子層的厚度。
13.一種權利要求1-12任一項所述深紫外LED外延結構的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上依次形成所述緩沖層、N型AlGaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型AlGaN層和P型GaN層。
14.一種深紫外LED，其特征在于，包括權利要求1-12任一項所述的深紫外LED外延結構。
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