[發(fā)明專利]一種用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910386852.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110042440A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 江泱;范遠(yuǎn)朋;楊帥國(guó) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 九江德福科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D1/04 | 分類號(hào): | C25D1/04;C25D3/38 |
| 代理公司: | 北京紐樂(lè)康知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 劉艷艷 |
| 地址: | 332001 江西省九*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電解液 銅箔表面 指甲 鋰電 氯離子 銅箔 硫酸 添加劑 含硫雜環(huán)化合物 改性聚硅氧烷 高分子化合物 嵌段聚醚類 有效地減少 高延伸率 晶粒生長(zhǎng) 聚硅氧烷 聚乙二醇 類化合物 有效控制 混合物 硫酸銅 銅離子 高抗 合成 | ||
本發(fā)明公開了一種用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液,包括主電解液和添加劑,所述主電解液包含硫酸銅、硫酸、氯離子,所述添加劑包含A劑、B劑、C劑、D劑,所述A劑為含硫雜環(huán)化合物,所述B劑為含氮合成高分子化合物,所述C劑為嵌段聚醚類化合物,所述D劑為聚硅氧烷或改性聚硅氧烷類化合物與聚乙二醇的混合物,所述電解液中銅離子、硫酸、氯離子、A劑、B劑、C劑、D劑的濃度分別為60?100g/L、80?140g/L、30?50mg/L、5?60mg/L、5?70mg/L、10?100mg/L、2?10mg/L。本發(fā)明的用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液可以在有效控制晶粒生長(zhǎng),減少銅箔缺陷,獲得高抗拉、高延伸率銅箔的同時(shí),有效地減少銅箔表面的指甲印。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鋰電銅箔制備技術(shù)領(lǐng)域,具體來(lái)說(shuō),涉及一種用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液。
背景技術(shù)
目前高端鋰離子電池銅箔要求高抗拉、高延伸率、超薄,并且表面外觀光澤均勻等特點(diǎn)。電解液添加劑是鋰電銅箔工藝中的核心,添加劑的好壞很大程度上決定了銅箔的性能。
添加劑在電解液中需要溶解均勻,從而使添加劑在銅箔各個(gè)位置起到的作用保持一致,最終使銅箔各個(gè)位置上獲得均勻且優(yōu)良的力學(xué)性能。高抗拉電解液配方涉及到丙烷磺酸鈉類化合物,該類化合物為陰離子表面活性劑,容易起泡,該表面活性劑的起泡性,是由于該表面活性劑能夠降低液體表面張力,并在氣-液表面(界面)形成定向分子吸附層的緣故,當(dāng)攪動(dòng)表面活性劑的溶液時(shí)就產(chǎn)生氣泡,空氣被含有表面活性劑的液膜分割包圍著,這時(shí)表面活性劑的憎水性基團(tuán)向著空氣,親水性基團(tuán)向著溶液。當(dāng)氣泡上浮到液體表面時(shí)又將液面上表面活性劑的定向分子吸附層吸附上去,形成雙層表面活性劑分子液膜包圍著的氣泡。在產(chǎn)生氣泡的情況下添加劑在電解液中容易分布不均勻,容易在銅箔表面表現(xiàn)出指甲印的狀態(tài),最終導(dǎo)致銅箔質(zhì)量降級(jí)或報(bào)廢,銅箔表面出現(xiàn)指甲印的比例通常在5%以上。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出一種用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液,能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足。
為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種用于減少鋰電銅箔表面指甲印的電解液,包括主電解液和添加劑,所述主電解液包含硫酸銅、硫酸、氯離子,所述添加劑包含A劑、B劑、C劑、D劑,所述A劑為含硫雜環(huán)化合物,所述B劑為含氮合成高分子化合物,所述C劑為嵌段聚醚類化合物,所述D劑為聚硅氧烷或改性聚硅氧烷類化合物與聚乙二醇(PEG)的混合物,所述電解液中銅離子、硫酸、氯離子、A劑、B劑、C劑、D劑的濃度分別為60-100g/L、80-140g/L、30-50mg/L、5-60mg/L、5-70mg/L、10-100mg/L、2-10mg/L。
進(jìn)一步的,所述A劑為噻唑啉基二硫代丙烷磺酸鈉、巰基咪唑丙烷磺酸鈉、甲巰基噻唑中的一種或多種。
進(jìn)一步的,所述B劑為膠原蛋白、聚乙烯亞胺、聚醚胺中的一種或多種。
進(jìn)一步的,所述C劑為環(huán)氧乙烷環(huán)氧丙烷嵌段聚醚類化合物(聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚醚類化合物)中的一種或多種。
進(jìn)一步的,所述D劑中聚乙二醇的分子量為200,所述D劑中聚硅氧烷或改性聚硅氧烷類化合物與聚乙二醇的質(zhì)量比為3:2-6:1。
進(jìn)一步的,所述D劑中聚硅氧烷類化合物的分子量≥4000,PPE型D劑,即從液體側(cè)侵入泡中將泡合一破壞,令氣泡難以產(chǎn)生。
進(jìn)一步的,所述D劑不影響氣泡體系的基本性質(zhì),擴(kuò)散性良好。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于九江德福科技股份有限公司,未經(jīng)九江德福科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910386852.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





