[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201910384534.1
• 申請日: 2019-05-09
• 公開（公告）號: CN110335869B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 金度賢
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，制備方法包括：在襯底基板上形成有源層的圖形和公共電極的圖形，有源層的圖形包括：疊加設置的透明導電圖形和半導體圖形，半導體圖形位于透明導電圖形遠離襯底基板的一側，且半導體圖形完全覆蓋透明導電圖形。本發明實施例中的陣列基板的有源層的圖形包括疊加設置的透明導電圖形和半導體圖形，能夠提高有源層的遷移率，從而使得具有該有源層的陣列基板能夠用于實現高性能的顯示產品。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別涉及陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

在現有技術中，陣列基板中的有源層可以采用IGZO(銦鎵鋅氧化物)制成，但是IGZO的遷移率偏低，使得現有的陣列基板具有一定的局限性，不利于實現高性能的顯示產品。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于解決現有的陣列基板中的有源層遷移率偏低的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

第一方面，根據本發明實施例的陣列基板的制備方法，包括：

在襯底基板上形成有源層的圖形和公共電極的圖形，所述有源層的圖形包括：疊加設置的透明導電圖形和半導體圖形，所述半導體圖形位于所述透明導電圖形遠離所述襯底基板的一側，且所述半導體圖形完全覆蓋所述透明導電圖形。

進一步地，所述公共電極的圖形和所述透明導電圖形通過一次構圖工藝形成。

進一步地，所述公共電極的圖形和所述透明導電圖形采用透明導電氧化物材料形成。

進一步地，所述透明導電氧化物材料包括以下任意兩種或兩種以上的氧化物的混合物：In的氧化物、Sn的氧化物、Zn的氧化物、Ga的氧化物；

或者，所述透明導電氧化物材料為poly-ITO或IZO。

進一步地，所述透明導電氧化物摻雜有以下任意一種或兩種金屬：Ca、Ba、Mg。

進一步地，所述半導體圖形采用氧化物半導體材料形成。

進一步地，所述在襯底基板上形成有源層的圖形和公共電極的圖形之前還包括：

在所述襯底基板上依次形成柵金屬層圖形和覆蓋所述柵金屬層圖形的柵極絕緣層，所述柵金屬層圖形包括柵電極和第一導電圖形；

其中，形成所述柵極絕緣層之后，在所述柵極絕緣層上形成所述有源層的圖形和所述公共電極的圖形；

形成源漏金屬層，所述源漏金屬層包括第一電極、第二電極和第二導電圖形，所述第一電極和第二電極均與所述半導體圖形接觸；

形成第一鈍化層；

形成樹脂層；

形成第二鈍化層；

形成像素電極，所述像素電極通過貫穿所述第二鈍化層、所述樹脂層、所述第一鈍化層的過孔，與所述源漏金屬層的第二電極和所述第二導電圖形連接，通過貫穿所述第二鈍化層、所述樹脂層、所述第一鈍化層和所述柵極絕緣層的過孔與所述第一導電圖形連接。

第二方面，根據本發明實施例的陣列基板，包括：襯底基板；

設置在所述襯底基板上的有源層的圖形和公共電極的圖形，所述有源層的圖形包括：疊加設置的透明導電圖形和半導體圖形，所述半導體圖形位于所述透明導電圖形遠離所述襯底基板的一側，且所述半導體圖形完全覆蓋所述透明導電圖形，所述公共電極的圖形和所述透明導電圖形同層同材料。

進一步地，所述陣列基板還包括：