[發明專利]晶圓表面膜層金屬含量的檢測方法在審
| 申請號: | 201910383329.3 | 申請日: | 2019-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN111916364A | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 王沿方;王金成;孫威 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平;鄧云鵬 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 金屬 含量 檢測 方法 | ||
1.一種晶圓表面膜層金屬含量的檢測方法,其特征在于,包括:
提供表面形成有待測膜層的晶圓,配置腐蝕液,使所述腐蝕液與所述待測膜層充分反應并生成待測試劑;及
收集所述待測試劑并測量所述待測試劑中的金屬含量,計算所述待測膜層中的金屬含量。
2.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,使所述腐蝕液與所述待測膜層充分反應并生成待測試劑的步驟具體包括:將所述晶圓水平放置,取腐蝕液滴于所述待測膜層的表面,所述腐蝕液在所述晶圓表面移動并刻蝕整片所述待測膜層,且所述腐蝕液在完成刻蝕后生成的待測試劑匯聚。
3.如權利要求2所述的檢測方法,其特征在于,所述取腐蝕液滴于所述待測膜層的表面的步驟具體為取腐蝕液滴于所述待測膜層表面的一處位置,所述腐蝕液完成刻蝕后生成的待測試劑匯聚于一處。
4.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述測量所述待測試劑中的金屬含量是通過電感耦合等離子體質譜儀測量。
5.如權利要求3所述的檢測方法,其特征在于,所述待測試劑經過膜去溶裝置后進入所述電感耦合等離子體質譜儀。
6.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述待測膜層為氮化硅層。
7.如權利要求5所述的檢測方法,其特征在于,所述腐蝕液包括氫氟酸。
8.如權利要求6所述的檢測方法,其特征在于,所述腐蝕液的體積配比為49%質量分數氫氟酸:去離子水=1:0.8~1:1.5。
9.如權利要求8所述的檢測方法,其特征在于,所述晶圓的尺寸不超過8寸,根據所述氮化硅層的厚度調整所述腐蝕液的用量,當所述氮化硅層的厚度不超過時,取2mL所述腐蝕液,當所述氮化硅層的厚度超過時,每增加對應增加1mL所述腐蝕液。
10.如權利要求9所述的檢測方法,其特征在于,所述腐蝕液的用量不超過10mL。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





