[發(fā)明專利]像素電路與顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910380310.3 | 申請日: | 2019-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN109979377B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林志隆;陳力榮;陳福星;張瑞宏;鄭貿(mào)薰 | 申請(專利權(quán))人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 電路 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種像素電路,包含發(fā)光二極管、驅(qū)動晶體管、補償晶體管、電容耦合電路及第一開關晶體管。驅(qū)動晶體管的第一端用以接收電源信號,驅(qū)動晶體管的第二端電性連接發(fā)光二極管。補償晶體管電性連接驅(qū)動晶體管的第二端及控制端,并根據(jù)第一補償控制信號導通或關閉。電容耦合電路具有第一端、第一節(jié)點及第二節(jié)點。第二節(jié)點電性連接于驅(qū)動晶體管的控制端。第一開關晶體管的第一端用以接收數(shù)據(jù)信號,第一開關晶體管的第二端電性連接第一節(jié)點。
技術(shù)領域
本揭示內(nèi)容關于一種像素電路與顯示裝置,特別是一種可補償驅(qū)動晶體管的臨界電壓變異的像素電路。
背景技術(shù)
低溫多晶硅薄膜晶體管(low temperature poly-silicon thin-filmtransistor)具有高載子遷移率與尺寸小的特點,適合應用于高解析度、窄邊框以及低耗電的顯示面板。目前業(yè)界廣泛使用準分子激光退火(excimer laser annealing)技術(shù)來形成低溫多晶硅薄膜晶體管的多晶硅薄膜。然而,由于準分子激光每一發(fā)的掃描功率并不穩(wěn)定,不同區(qū)域的多晶硅薄膜會具有晶粒尺寸與數(shù)量的差異。因此,于顯示面板的不同區(qū)域中,低溫多晶硅薄膜晶體管的特性便會不同。例如,不同區(qū)域的低溫多晶硅薄膜晶體管會有著不同的臨界電壓(threshold voltage)。
目前業(yè)界廣泛使用像素內(nèi)補償?shù)募夹g(shù)方案,以克服上述臨界電壓變異的問題。然而,具有像素內(nèi)補償功能的像素電路具有復雜的電路結(jié)構(gòu),使得相關的顯示面板的開口率低下。
發(fā)明內(nèi)容
本揭示內(nèi)容的一態(tài)樣系一種像素電路,包含發(fā)光二極管、驅(qū)動晶體管、補償晶體管、電容耦合電路及第一開關晶體管。驅(qū)動晶體管具有第一端、第二端與控制端。驅(qū)動晶體管的第一端用以接收電源信號,驅(qū)動晶體管的第二端電性連接發(fā)光二極管。補償晶體管具有第一端、第二端與控制端。補償晶體管的第二端電性連接于發(fā)光二極管,補償晶體管的控制端用以接收第一補償控制信號。電容耦合電路具有第一端、第一節(jié)點及第二節(jié)點。電容耦合電路的第一端電性連接參考電壓源,電容耦合電路的第二節(jié)點電性連接于驅(qū)動晶體管的控制端與補償晶體管的第一端。第一開關晶體管具有第一端、第二端與控制端。第一開關晶體管的第一端用以接收數(shù)據(jù)信號,第一開關晶體管的第二端電性連接第一節(jié)點。第一開關晶體管的控制端用以接收柵極信號。
本揭示內(nèi)容的另一態(tài)樣系一種像素電路。像素電路包含發(fā)光二極管、驅(qū)動晶體管、補償晶體管及電容耦合電路。驅(qū)動晶體管具有第一端、第二端與控制端。驅(qū)動晶體管的第一端用以接收電源信號,驅(qū)動晶體管的第二端電性連接于發(fā)光二極管,驅(qū)動晶體管的控制端用以接收驅(qū)動電壓,以根據(jù)驅(qū)動電壓輸出電源信號至發(fā)光二極管。在一重置期間中,驅(qū)動晶體管被關斷,使得發(fā)光二極管上的電壓放電。補償晶體管用以根據(jù)第一補償信號選擇性地導通驅(qū)動晶體管的控制端及第二端。電容耦合電路具有第一節(jié)點與第二節(jié)點。在補償期間,電容耦合電路的第一節(jié)點用以接收數(shù)據(jù)信號,電容耦合電路的第二節(jié)點電性連接至驅(qū)動晶體管的控制端。當電容耦合電路的第一節(jié)點接收數(shù)據(jù)信號時,驅(qū)動電壓的電壓電平相應于數(shù)據(jù)信號的電壓電平變化而變化。
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