[發(fā)明專利]頂針裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910378435.2
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN111916389A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡俊偉
• 申請（專利權(quán)）人: 致茂電子（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種頂針裝置，用以頂出一薄膜上的一芯片，該芯片于一第一方向具有一第一長度，且于一第二方向具有一第一寬度，其特征在于，包含：

一頂針蓋，定義有一接觸面，該接觸面上具有一頂針孔，該頂針孔于該第一方向具有一第二長度，且于該第二方向具有一第二寬度；

其中該接觸面用以接觸該薄膜，當(dāng)該第一長度大于該第二長度時，該第一寬度不大于該第二寬度；當(dāng)該第一寬度大于該第二寬度時，該第一長度不大于該第二長度。

2.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針蓋的該接觸面上更具有多個抽氣孔，該些抽氣孔連通一抽氣系統(tǒng)，當(dāng)該接觸面接觸該薄膜時，該抽氣系統(tǒng)經(jīng)由該些抽氣孔提供負(fù)壓以吸附該薄膜。

3.如權(quán)利要求2所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針蓋的該接觸面上更具有一第一凹陷，該第一凹陷延伸于該第一方向，且至少部分的該些抽氣孔設(shè)置于該第一凹陷中。

4.如權(quán)利要求2所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針蓋的該接觸面上更具有一第二凹陷，該第二凹陷延伸于該第二方向，且至少部分的該些抽氣孔設(shè)置于該第二凹陷中。

5.如權(quán)利要求2所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針蓋的該接觸面上更具有一第三凹陷，該第三凹陷圍繞該頂針孔，且至少部分的該些抽氣孔設(shè)置于該第三凹陷中。

6.如權(quán)利要求2所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針蓋的該接觸面上更具有多個第四凹陷，每一該抽氣孔對應(yīng)該些第四凹陷的其中之一，每一該第四凹陷于該接觸面的面積大于該些抽氣孔其中之一于該接觸面的面積。

7.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，更包含一第一頂針，該第一頂針選擇性地由該頂針孔凸出該接觸面，該第一頂針的一頂面于該第一方向具有一第三長度，該頂面于該第二方向具有一第三寬度，且該第三長度大于該第三寬度。

8.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，更包含一第二頂針和一第三頂針，該第二頂針和該第三頂針選擇性地由該頂針孔凸出該接觸面，該第二頂針和該第三頂針間隔一第一距離，該第一距離與該第二長度的比值在0.3到0.7之間。

9.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針孔為一矩形，且該第二長度為該矩形的一長邊的長度，該第二寬度為該矩形的一短邊的長度。

10.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，該頂針孔為一橢圓形，且該第二長度為該橢圓形的一長軸的長度，該第二寬度為該橢圓形的一短軸的長度。

11.如權(quán)利要求1所述的頂針裝置，其特征在于，該第二長度大于該第二寬度。