[發(fā)明專利]一種MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910378410.2
• 申請(qǐng)日: 2019-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110104606A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶繼方;吳國(guó)強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州新沃微電子有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 上海灣谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31289
• 代理人: 李曉星

1.一種MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

中間開(kāi)有用于放置MEMS紅外傳感器芯片的放置槽，且該放置槽的兩側(cè)開(kāi)有豎直的兩個(gè)硅通孔的底部晶圓；

焊接在各所述硅通孔兩端的兩個(gè)焊盤；

分別連接所述MEMS紅外傳感器芯片兩端和兩個(gè)所述硅通孔頂端的焊盤的兩根連接線；

沉積在所述底部晶圓頂部邊沿的焊料；以及

通過(guò)焊料焊接在所述底部晶圓頂部，并與所述底部晶圓之間形成密封腔的上晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上晶圓的上下表面均鍍有光學(xué)鍍膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述底部晶圓和所述上晶圓之間，用于防止所述連接線壓傷的連接線防護(hù)結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接線防護(hù)結(jié)構(gòu)為：刻蝕在所述上晶圓底部，并位于兩根所述連接線正上方的兩個(gè)凹槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接線防護(hù)結(jié)構(gòu)為：開(kāi)設(shè)在所述放置槽兩側(cè)的所述底部晶圓上的兩個(gè)臺(tái)階，

所述臺(tái)階的表面上開(kāi)設(shè)所述硅通孔；

所述硅通孔頂端的焊盤的上表面高度低于所述底部晶圓的上表面高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接線防護(hù)結(jié)構(gòu)為：用于抬高所述上晶圓的底面至不接觸所述連接線的位置的所述焊料。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接線防護(hù)結(jié)構(gòu)為：設(shè)置在所述焊料中間的墊片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、4、5或6中任一項(xiàng)所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底部晶圓和所述上晶圓利用晶圓鍵合工藝，通過(guò)焊料進(jìn)行焊接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述墊片為中間晶圓。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MEMS紅外傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底部晶圓、所述墊片和所述上晶圓利用三層晶圓鍵合工藝，通過(guò)焊料進(jìn)行焊接。